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despegue químico y unión directa de obleas de estructuras gan / ingan p-i-n cultivadas en zno

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despegue químico y unión directa de obleas de estructuras gan / ingan p-i-n cultivadas en zno

2018-02-02

reflejos

• crecimiento de mocvd de una célula solar p-gan / i-ingan / n-gan (pin) en plantillas zno / zafiro.

• caracterizaciones estructurales en profundidad que no muestran grabado posterior de zno.

• despegue químico y unión de obleas de la estructura en vidrio flotado.

• caracterizaciones estructurales del dispositivo sobre vidrio.

abstracto

las estructuras de p-gan / i-ingan / n-gan (pin) se cultivaron epitaxialmente en sustratos de c-zafiro con zno-buffer mediante epitaxia de fase de vapor orgánico de metal usando el precursor de amoníaco estándar de la industria para nitrógeno. la microscopía electrónica de barrido reveló capas continuas con una interfaz uniforme entre gan y zno y sin evidencia de zno back-etching. La espectroscopía de rayos X de energía dispersa reveló un contenido máximo de indio de poco menos del 5% en las capas activas. la estructura del alfiler se levantó del zafiro mediante el grabado selectivo del tampón zno en un ácido y luego se unió directamente sobre un sustrato de vidrio. los estudios detallados de alta resolución del microscopio electrónico de transmisión y la difracción de rayos X de incidencia de pastoreo revelaron que la calidad estructural de las estructuras de los pines se conservaba durante el proceso de transferencia.


palabras clave

a1. caracterización; a3. epitaxia de fase de vapor metalorgánico; b1. nitruros; b1. compuestos de zinc; b3. células solares


fuente: sciencedirect


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