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oblea epitaxial led basada gan
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld). -
gan hemt oblea epitaxial
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro . -
gaas epiwafer
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información. -
oblea de silicio epitaxial
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre el substrato a granel y la capa epitaxial superior)etiquetas calientes : oblea de silicio epi oblea de silicio epitaxial fabricantes de obleas epitaxiales fabricante de oblea epi silicio en el aislador
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