-
sustrato de gan independiente
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos. -
obleas de gaas (arseniuro de galio)
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento de pulido y construcción una sala limpia de 100 clases para limpieza y empaquetado de obleas. nuestra oblea gaas incluye lingote / obleas de 2 a 6 pulgadas para aplicaciones de led, ld y microelectrónica. Siempre estamos dedicados a mejorar la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño. -
oblea inp
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).etiquetas calientes : oblea inp substrato inp oblea de fosfuro de indio sustrato de fosfuro de indio precio de la oblea inp fabricantes de fosfuro de indio
-
oblea de gas
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100) -
oblea de brecha
xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
Información del contacto
+86-592-5601 404