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oblea epitaxial led basada gan

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oblea epitaxial led basada gan

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La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).


  • detalles del producto

oblea epitaxial con base de gan (nitruro de galio)


como fabricante de obleas led, ofrecemos obleas led para led y diodos láser (ld), como micro o ultra delgado obleas o investigaciones led uv. es por mocvd con pss o zafiro plano para lcd, móvil, electrónico o ultravioleta (ultravioleta), con emisión azul o verde o roja, que incluye el área activa ingan / gan y capas de algan con barrera gan / algan gan para diferentes tamaños de chip.


gan en al2o3-2 "epi wafer especificación (oblea epitaxial led)


uv  led: 365nm, 405nm

blanco : 445 ~ 460 nm

azul : 465 ~ 475 nm

verde : 510 ~ 530 nm


1. técnica de crecimiento - mocvd

Diámetro 2.wafer: 50.8mm

Material de sustrato 3.wafer: sustrato de zafiro modelado (al2o3)

Tamaño del patrón 4.wafer: 3x2x1.5μm

Estructura 5.wafer:


capas de estructura

espesor (μm)

p-gan

0.2

p-algan

0.03

ingan / gan (activo  zona)

0.2

n-gan

2.5

ugan

3.5

al2o3  (sustrato)

430


Parámetros 6.wafer para hacer chips:


ít

color

tamaño del chip

características

apariencia

u0026 emsp;

pam1023a01

azul

10mil x 23mil

u0026 emsp;

u0026 emsp;

iluminación

vf = 2.8 ~ 3.4v

LCD luz de fondo

po = 18 ~ 25mw

móvil  accesorios

wd =  450 ~ 460nm

consumidor  electrónico

pam454501

azul

45mil x 45mil

vf = 2.8 ~ 3.4v

u0026 emsp;

general  iluminación

po = 250 ~ 300mw

LCD luz de fondo

wd = 450 ~ 460nm

al aire libre  monitor

* si necesita conocer más información detallada del chip blue led, contáctese con nuestros departamentos de ventas


7. aplicación de oblea epitaixal led:

iluminación

LCD luz de fondo

dispositivos móviles

consumidor de electronicos



Las obleas epitaxiales basadas en gan de pam-xiamen (oblea epi) son para diodos emisores de luz azul y verde de ultra alto brillo (led)


oblea led a base de gaas (arseniuro de galio):


con respecto a la oblea conducida por gaas, se cultivan mediante mocvd, ver debajo de la longitud de onda de la oblea led gaas:


rojo: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm

amarillo: 587 ~  592nm

amarillo verde:  568 ~ 573


para estas especificaciones detalladas de waf de gaas led, visite: gaas epi wafer para led


* estructura láser en 2 pulgadas gan (0001) sustrato o sustrato de zafiro está disponible.

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