casa / productos / gan oblea /

oblea epitaxial led basada gan

productos
oblea epitaxial led basada gan

oblea epitaxial led basada gan

La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).


  • Moq :

    1
  • detalles del producto

oblea epitaxial con base de gan (nitruro de galio)


como fabricante de obleas led, ofrecemos obleas led para led y diodos láser (ld), como micro o ultra delgado obleas o investigaciones led uv. es por mocvd con pss o zafiro plano para lcd, móvil, electrónico o ultravioleta (ultravioleta), con emisión azul o verde o roja, que incluye el área activa ingan / gan y capas de algan con barrera gan / algan gan para diferentes tamaños de chip.


gan en al2o3-2 "epi wafer especificación (oblea epitaxial led)


uv  led: 365nm, 405nm

blanco : 445 ~ 460 nm

azul : 465 ~ 475 nm

verde : 510 ~ 530 nm


1. técnica de crecimiento - mocvd

Diámetro 2.wafer: 50.8mm

Material de sustrato 3.wafer: sustrato de zafiro modelado (al2o3)

Tamaño del patrón 4.wafer: 3x2x1.5μm

Estructura 5.wafer:


capas de estructura

espesor (μm)

p-gan

0.2

p-algan

0.03

ingan / gan (activo  zona)

0.2

n-gan

2.5

ugan

3.5

al2o3  (sustrato)

430


Parámetros 6.wafer para hacer chips:


ít

color

tamaño del chip

características

apariencia

u0026 emsp;

pam1023a01

azul

10mil x 23mil

u0026 emsp;

u0026 emsp;

iluminación

vf = 2.8 ~ 3.4v

LCD luz de fondo

po = 18 ~ 25mw

móvil  accesorios

wd =  450 ~ 460nm

consumidor  electrónico

pam454501

azul

45mil x 45mil

vf = 2.8 ~ 3.4v

u0026 emsp;

general  iluminación

po = 250 ~ 300mw

LCD luz de fondo

wd = 450 ~ 460nm

al aire libre  monitor

* si necesita conocer más información detallada del chip blue led, contáctese con nuestros departamentos de ventas


7. aplicación de oblea epitaixal led:

iluminación

LCD luz de fondo

dispositivos móviles

consumidor de electronicos



Las obleas epitaxiales basadas en gan de pam-xiamen (oblea epi) son para diodos emisores de luz azul y verde de ultra alto brillo (led)


oblea led a base de gaas (arseniuro de galio):


con respecto a la oblea conducida por gaas, se cultivan mediante mocvd, ver debajo de la longitud de onda de la oblea led gaas:


rojo: 585 nm, 615 nm, 620 ~ 630nm

amarillo: 587 ~  592nm

amarillo verde:  568 ~ 573


para estas especificaciones detalladas de waf de gaas led, visite: gaas epi wafer para led


* estructura láser en 2 pulgadas gan (0001) sustrato o sustrato de zafiro está disponible.

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.

Productos relacionados

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

gan en silicio

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

gan hemt epitaxy

gan hemt oblea epitaxial

Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .

oblea sic

aplicación sic

debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.

gaas cristal

obleas de gaas (arseniuro de galio)

pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7

oblea de silicio

silicio monocristalino de la zona flotante

fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio7

oblea de silicio

aguafuerte

la oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. están las obleas de grabado de baja rugosidad, baja reflecti7

epitaxia de silicio

oblea de silicio epitaxial

oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.