Productos Recomendados

últimas noticias

Teoría funcional de la densidad Cálculos de configuraciones atómicas y bandas prohibidas de cristales de Si dopados con C, Ge y Sn para células solares

2020-03-17
Conductividad eléctrica de estructuras directas de GaAs/GaAs unidas por obleas para celdas solares en tándem unidas por obleas

2020-03-09

ge (germanio) monocristales y obleas

pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec

Moq :
1

Contacta ahora

detalles del producto

cristal único (ge) germanio oblea

pam ofrece materiales semiconductores, ge (germanio) monocristales y obleas crecido por vgf / lec

propiedades generales de la oblea de germanio

general estructura de propiedades	cúbico, a = 5.6754 Å
	densidad: 5.765 g / cm3
	derritiendo punto: 937.4 oc
	térmico conductividad: 640
crecimiento cristalino tecnología	czochralski
dopaje disponible	sin dopar	doblar	dopaje en o Georgia
tipo conductivo	/	norte	pag
resistividad, ohm.cm	u0026 gt; 35	u0026 lt; 0.05	0.05 - 0.1
epd	u0026 lt; 5x10³ /cm²	u0026 lt; 5x10³ /cm²	u0026 lt; 5x10³ /cm²
epd	u0026 lt; 5x10² /cm²	u0026 lt; 5x10² /cm²	u0026 lt; 5x10² /cm²

grados y aplicación de la oblea de germanio

grado electrónico	usado para diodos y transistores,
infrarrojo o grado crítico	utilizado para ir ventana o discos ópticos, componentes opcionales
grado celular	utilizado para sustratos de célula solar

especificaciones estándar de cristal y oblea de germanio

cristal orientación	u0026 lt; 111 u0026 gt;, u0026 lt; 100 u0026 gt; y u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0.5^o o una orientación personalizada
cristal boule como crecido	1 "~ 6 "de diámetro x 200 mm de longitud
estándar en blanco como corte	1 "x 0.5mm	2 "x0.6 mm	4 "x0.7 mm	5 "y 6" x0.8 mm
estándar oblea pulida (uno / dos lados pulidos)	1 "x 0.30 mm	2 "x0.5 mm	4 "x0.5 mm	5 "y 6" x0.6 mm

tamaño y orientación especiales están disponibles en las obleas solicitadas

especificación de la oblea de germanio

ít	presupuesto	observaciones
método de crecimiento	vgf
tipo de conducción	tipo n, tipo p, sin dopar
dopante	galio o antimonio
diámetro de la oblea	2, 3,4 y amp; 6	pulgada
cristal orientación	(100), (111), (110)
espesor	200 ~ 550	um
de	ej o nosotros
portador concentración	solicitud sobre clientes	u0026 emsp;
resistividad en rt	(0.001 ~ 80)	ohm.cm
Grabar la densidad del hoyo	u0026 lt; 5000	/ cm2
marcado con láser	a pedido
acabado de la superficie	p / e o p / p
epi listo	sí
paquete	oblea individual contenedor o cassette	u0026 emsp;

Oblea ge de 4 pulgadas especificación	para células solares	u0026 emsp;
dopaje	pag	u0026 emsp;
dopaje sustancias	ge-ga	u0026 emsp;
diámetro	100 ± 0.25 mm	u0026 emsp;
orientación	(100) 9 ° de descuento hacia u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0.5
fuera de orientación ángulo de inclinación	n / A	u0026 emsp;
piso primario orientación	n / A	u0026 emsp;
piso primario longitud	32 ± 1	mm
piso secundario orientación	n / A	u0026 emsp;
piso secundario longitud	n / A	mm
cc	(0.26-2.24) e18	/c.c
resistividad	(0,74-2,81) e-2	ohm.cm
electrón movilidad	382-865	cm2 / v.s.
epd	u0026 lt; 300	/ cm2
marca láser	n / A	u0026 emsp;
espesor	175 ± 10	μm
ttv	u003c 15	μm
tir	n / A	μm
arco	u0026 lt; 10	μm
deformación	u003c 10	μm
cara frontal	pulido	u0026 emsp;
cara posterior	suelo	u0026 emsp;

proceso de obleas de germanio

en el proceso de producción de obleas de germanio, el dióxido de germanio del procesamiento del residuo se purifica adicionalmente en las etapas de cloración e hidrólisis.

1) se obtiene germanio de alta pureza durante la refinación de la zona.

2) un cristal de germanio se produce a través del proceso czochralski.

3) la oblea de germanio se fabrica mediante varios pasos de corte, esmerilado y grabado.

4) las obleas se limpian e inspeccionan. durante este proceso, las obleas son pulidas por un lado o pulidas por el lado doble según los requisitos personalizados, viene la oblea epi-ready.

5) las obleas se envasan en recipientes de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.

solicitud:

El blanco o la ventana de germanio se utilizan en soluciones de visión nocturna y de termografía para equipos de seguridad comercial, extinción de incendios y control industrial. Además, se utilizan como filtros para equipos analíticos y de medición, ventanas para medición remota de temperatura y espejos para láseres.

los sustratos finos de germanio se utilizan en las células solares de triple unión iii-v y para los sistemas de potencia concentrada pv (cpv).

etiquetas calientes :

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.

Productos relacionados

gaas epiwafer

estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.

detector czt

pam-xiamen proporciona detectores basados en czt mediante tecnología de detector de estado sólido para rayos X o rayos gamma, que tiene una mejor resolución de energía en comparación con el detector basado en cristales de centelleo, incluyendo el detector czt planar, el detector czt pixilated, czt co-planar gri

oblea pulida

fz obleas pulidas, principalmente para la producción de rectificador de silicio (sr), rectificador controlado de silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)

aplicación sic

debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

oblea insb

xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

inas wafer

xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

qué estás buscando?