2020-03-17
2020-03-09
Moq :
1xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
El fosfuro de galio (brecha), un fosfuro de galio, es un material semiconductor compuesto con un espacio de banda indirecto de 2.26ev (300k). el material policristalino tiene la apariencia de piezas de color naranja pálido. las obleas de cristal único no dopado aparecen de color naranja claro, pero las obleas fuertemente dopadas aparecen más oscuras debido a la absorción del soporte libre. es inodoro e insoluble en agua. azufre o telurio se utilizan como dopantes para producir semiconductores de tipo n. el zinc se usa como dopante para el semiconductor de tipo P. El fosfuro de calcio tiene aplicaciones en sistemas ópticos. su índice de refracción está entre 4.30 a 262 nm (uv), 3.45 a 550 nm (verde) y 3.19 a 840 nm (ir).
| especificaciones de gap wafer y sustrato | |
| tipo de conducto | tipo n |
| dopante | s dopado |
| diámetro de la oblea | 5 0.8 +/- 0.5mm |
| orientación cristal | (111) +/- 0.5 ° |
| orientación plana | 111 |
| longitud plana | 17,5 +/- 2 mm |
| concentración de portadores | (2-7) x10 ^ 7 / cm3 |
| resistividad en rt | 0.05-0.4ohm.cm |
| movilidad | u003e 100 cm² / v.sec |
| Grabar la densidad del hoyo | u003c 3 * 10 ^ 5 / cm² |
| marcado con láser | a pedido |
| suface fnish | Educación física |
| espesor | 250 +/- 20um |
| epi listo | sí |
| paquete | envase o cassette de oblea individual |
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
pam-xiamen ofrece una placa fotorresistente con fotorresistencia podemos ofrecer nanolitografía (fotolitografía): preparación de la superficie, aplicación fotorresistente, cocción suave, alineación, exposición, desarrollo, horneado duro, desarrollo de inspección, grabado, eliminación de fotoresist (tira), inspección final.
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.
pam-xiamen proporciona detectores basados en czt mediante tecnología de detector de estado sólido para rayos X o rayos gamma, que tiene una mejor resolución de energía en comparación con el detector basado en cristales de centelleo, incluyendo el detector czt planar, el detector czt pixilated, czt co-planar gri
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
