Se depositaron películas sic cúbicas (3c-sic) sobre sustratos (111) si mediante un método de crecimiento trifásico vapor-líquido-sólido. en tal proceso, una fina capa de cobre, que se evaporó en el sustrato si antes del crecimiento, se fundió a alta temperatura a medida que el flujo y luego el metano (fuente de carbono) se difundió en la capa líquida para reaccionar con Si, lo que condujo al crecimiento de sic en el sustrato. el cobre mostró algunas buenas propiedades como el flujo, incluida la alta solubilidad de silicio y carbono, baja temperatura de crecimiento y baja volatilidad. se identificaron los parámetros de crecimiento adecuados para el flujo de cobre, bajo los cuales (111) se cultivaron películas texturizadas 3c-sic. se observó un pequeño número de (220) granos incrustados en las películas (111), que eran difíciles de evitar por completo. los pozos de grabado de la masa fundida de cu sobre la superficie del sustrato pueden actuar como los sitios preferidos para el crecimiento de (220) granos.

palabras clave

re. sic; epitaxia en fase líquida; película delgada

fuente: sciencedirect

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