reflejos

• defectos a nanoescala en materiales iii-v, cultivados en si se caracterizaron con cafm.

• los defectos exhiben una conductividad más alta.

• la característica de rectificación de contacto se oculta por una corriente mayor bajo el sesgo inverso.

• muestras modeladas fabricadas usando captura de relación de aspecto también se caracterizaron.

abstracto

la implementación de dispositivos de alta movilidad requiere el crecimiento de materiales iii-v en sustratos de silicio. sin embargo, debido a la falta de correspondencia de la retícula entre estos materiales, los semiconductores iii-v tienden a desarrollar defectos estructurales que afectan las características eléctricas del dispositivo. en este estudio, la técnica cafm se emplea para identificar y analizar defectos a nanoescala, en particular, dislocaciones de subprocesamiento (td), fallas de apilamiento (sf) y límites antifase (apb), en materiales iii-v cultivados sobre obleas de silicio.

Gráficamente abstracto

objetivo: defectos a nanoescala, como dislocaciones de enhebrado (td), fallas de apilamiento (sf), entre otros, en materiales iii-v cultivados sobre obleas de silicio se caracterizaron utilizando un cafm. los resultados presentados muestran que el cafm puede ayudar a identificar varios tipos de defectos estructurales en materiales iii-v, así como a medir sus características conductivas.

fuente: sciencedirect

palabras clave

sustratos de alta movilidad; semiconductores iii-v; enhebrar dislocaciones; cafm

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