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Dinámica de incorporación de indio en películas delgadas finlandesas n-polares cultivadas mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma en sustratos de gan libres

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Dinámica de incorporación de indio en películas delgadas finlandesas n-polares cultivadas mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma en sustratos de gan libres

2018-01-22

reflejos

• Las películas finas n-polar inaln se cultivaron en sustratos gan mediante epitaxia de haz molecular.

• la morfología de la superficie pasó de cuasi-3d a paso de flujo a alta temperatura.

• se observó saturación de indio para aumentar el flujo de indio a alta temperatura.

• el aumento del flujo de aluminio ayudó a aumentar la eficiencia de la incorporación de indio.

• Se demostraron películas n-polar inaln con una rugosidad rms de 0.19 nm.


abstracto

Las películas finas n-polar inaln se cultivaron mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma en sustratos de gan independientes en condiciones ricas en n. los flujos de indio y aluminio se variaron independientemente a temperaturas de sustrato por debajo y por encima del inicio de la desorción térmica de indio. a bajas temperaturas, la composición inalnal y la tasa de crecimiento están determinadas por los flujos de grupo iii. con el aumento de la temperatura del substrato, la morfología de la superficie pasa de una morfología cuasi-3d a una suave, 2d a temperaturas significativamente superiores al inicio de la pérdida de indio. a temperaturas más altas, observamos una mayor evaporación de indio con mayores flujos de indio y una supresión de la evaporación de indio con un mayor flujo de aluminio. la película fina finlandesa final optimizada da como resultado una morfología escalonada con una rugosidad rms de 0,19 nm y una alta calidad interfacial.


palabras clave

a1. morfología cristalina; a1. desorción; a3. epitaxia de haz molecular; b1. nitruros; b2. compuestos ternarios semiconductores


fuente: sciencedirect


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