informamos sobre el crecimiento del epitaxia del haz molecular (mbe) y las características del dispositivo de las células solares ge. la integración de una celda de fondo ge debajo de una pila de triple unión coincidente con celosía desarrollada por mbe podría permitir eficiencias ultra altas sin crecimiento metamórfico o unión de oblea. sin embargo, una unión difusa no puede formarse fácilmente en ge por mbe debido al bajo coeficiente de adherencia de las moléculas del grupo v en ge superficies. por lo tanto, se realizaron uniones ge por crecimiento de homo-epitaxial n-ge en obleas p-ge dentro de un sistema iii-v mbe estándar. luego fabricamos células ge ge, encontrando que la temperatura de crecimiento y el recocido posterior al crecimiento son factores clave para lograr una alta eficiencia. Se obtuvieron valores de tensión de circuito abierto y factor de relleno de ~ 0.175 v y ~ 0.59 sin una capa de ventana, ambos comparables a los difundidos ge uniones formadas por epitaxia de fase de vapor orgánico de metal. también demostramos el crecimiento de gaas de un solo dominio de alta calidad en la unión ge, según sea necesario para el crecimiento posterior de subcélulas iii-v, y que la pasivación de superficie proporcionada por la capa de gaas mejora ligeramente el rendimiento de la célula ge.

fuente: iopscience

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