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carburo de silicio de ni / 6h-sic y ti / 4h-sic tipo diodo schottky características de corriente-voltaje modelado

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carburo de silicio de ni / 6h-sic y ti / 4h-sic tipo diodo schottky características de corriente-voltaje modelado

2018-04-19

sobre la base de los modelos analíticos físicos basados ​​en la ecuación de Poisson, la deriva-difusión y las ecuaciones de continuidad, las características de la corriente de corriente directa de 6h-sic y 4h-sic tipo diodo schottky con ni y ti schottky contacto han sido simulados. se muestra sobre la base del análisis de las características de corriente-voltaje en términos de la teoría de emisión termoiónica clásica, se muestra que el modelo de simulación propuesto de diodo schottky corresponde al diodo casi \"ideal\" con factor de idealidad n igual a 1,1. debido a esto, se determina que la altura eficaz de la barrera de Schottky phivb es igual a 1,57 ev y 1,17 ev para el tipo de diodo schottky de carburo de silicio ni / 6h y ti / 4h, respectivamente.


fuente: iopscience


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