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oblea semiconductora de nitruro

lista de obleas

oblea semiconductora de nitruro

2017-12-21

oblea semiconductora de nitruro

nitruro de galio de pie
Artículo No. tipo orientación espesor grado micro defecto  densidad superficie área utilizable
\u0026 emsp; tipo n
pam-fs-gan50-n 2 \"n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan45-n dia.45mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan40-n dia.40mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan38-n dia.38mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan25-n dia.25.4mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan15-n 14 mm * 15 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan10-n 10 mm * 10.5 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan5-n 5 mm * 5.5 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
\u0026 emsp; semi-aislante
pam-fs-gan50-si 2 \"n tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan45-si dia.45mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan40-si dia.40mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan38-si dia.38mm, tipo n 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan25-si dia.25.4mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan15-si 14 mm * 15 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan10-si 10 mm * 10.5 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-fs-gan5-si 5 mm * 5.5 mm, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 300 ± 25um a / b 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
plantilla de nitruro de galio, plantilla de aln, plantilla de ingan, algan  modelo
Artículo No. tipo orientación espesor grado dislocación  densidad superficie área utilizable
pam-76-gan-t-n plantilla gan, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 20/30 / 40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-gan-t-n plantilla gan, n  tipo 0 ° ± 0.5 ° 20/30 / 40um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-gan-t-p plantilla gan, p  tipo 0 ° ± 0.5 ° 2um / / p / p o p / l \u0026 gt; 91%
pam-50-gan-t-si gan  plantilla, semi-aislante 0 ° ± 0.5 ° 30 / 90um / \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-aln-t-si aln  plantilla, semi-aislante 0 ° ± 0.5 ° 1um / / p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-ingan-t-si plantilla ingan 0 ° ± 0.5 ° 100-200 nm / 10 ^ 8 / cm2 p / p o p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-algan-t-si plantilla de algan 0 ° ± 0.5 ° 1-5um / * p / p o p / l \u0026 gt; 90%
galio nitruro epi oblea (oblea led)
Artículo No. tipo orientación espesor grado longitud de onda superficie área utilizable
\u0026 emsp; tipo n
pam-50-gan-epi- blue-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-gan-epi-blue-pss / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 445-475nm p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-gan-epi-green-f / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 gt; 90%
pam-50-gan-epi-green-pss / 0 ° ± 0.5 ° 436um / 510-530nm p / l \u0026 gt; 90%
nitruro de galio uv led
Artículo No. paquete potencia de salida tensión directa grado longitud de onda deg fwhm
pam-gan-led-uv-265 03wg / smd / to39 / / / 265nm +/- 3nm / 10nm
pam-gan-led-uv-280 03wg / smd / to39 / 6.8-7.5 / 280nm +/- 3nm 140/60 10nm
pam-gan-led-uv-310 03wg / smd / to39 / 6.5-7.2 / 310nm +/- 3nm 140/60 10nm
Como proveedor de obleas gan, ofrecemos una lista de semiconductores de galio para su referencia, si necesita detalles de precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


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*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

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