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mejora operativa de algan / gan hemt en sustrato sic con la región de agotamiento modificada

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mejora operativa de algan / gan hemt en sustrato sic con la región de agotamiento modificada

2017-11-26

reflejos

• se presenta el sustrato algan / gan hemt on sic para mejorar la operación eléctrica.

• la región de agotamiento de la estructura se modifica utilizando una puerta empotrada múltiple.

• se propone una estructura de puerta para poder controlar el grosor del canal.

• los parámetros rf son considerados y mejorados.

en este trabajo, se presenta un transistor de alto rendimiento de algan / gan (hemt) sobre substratos sic para mejorar la operación eléctrica con la región de empobrecimiento modificada utilizando una compuerta empotrada múltiple (mrg-hemt). la idea básica es cambiar la región de agotamiento de la puerta y una mejor distribución del campo eléctrico en el canal y mejorar la tensión de ruptura del dispositivo. la puerta propuesta consiste en una compuerta inferior y superior para controlar el espesor del canal. también, la carga de la región de agotamiento cambiará debido a la puerta optimizada. Además, se usa un metal entre la compuerta y el desagüe que incluye las partes horizontal y vertical para controlar mejor el grosor del canal. el voltaje de ruptura, la densidad máxima de potencia de salida, la frecuencia de corte, la frecuencia de oscilación máxima, la cifra mínima de ruido, la ganancia máxima disponible (mag) y la ganancia estable máxima (msg) son algunos parámetros para los diseñadores que se consideran y mejoran en este documento .

Se presenta un transistor de alto electrón de algan / gan de alto rendimiento (hemt) sobre sustratos sic para mejorar el funcionamiento eléctrico con la región de agotamiento modificada.

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palabras clave

algan / aln / gan / sic hemt; campo eléctrico; region de agotamiento; aplicaciones rf


fuente: sciencedirect


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