la capacidad de la espectroscopía de emisión óptica para el estudio in situ y el control de la deposición de capa atómica mejorada con plasma (pe-ald) defosfuro de galiode fosfina y trimetilgallium transportado por hidrógeno. la composición del gas que cambia durante el proceso de pe-ald se controló mediante mediciones in situ de la intensidad de emisión óptica para líneas de fosfina e hidrógeno. para el proceso pe-ald donde los pasos de deposición de fósforo y galio se separan en el tiempo se observó una influencia negativa del exceso de acumulación de fósforo en las paredes de la cámara. de hecho, el fósforo depositado en las paredes durante la etapa de descomposición de ph3 se graba con plasma de hidrógeno durante la siguiente etapa de descomposición de trimetilgallium, lo que conduce a una deposición química de vapor convencional e incontrolable no deseada. para reducir este efecto, se ha propuesto introducir un paso de grabado con plasma de hidrógeno, que permite grabar el exceso de fósforo antes del comienzo de la etapa de deposición de galio y lograr el modo de crecimiento de deposición de capa atómica.

fuente: iopscience

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