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propiedades fotoeléctricas de la intercapa de gan / aln no dopada / interfaz de alta pureza si (1 1 1)

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propiedades fotoeléctricas de la intercapa de gan / aln no dopada / interfaz de alta pureza si (1 1 1)

2018-06-21

las heteroestructuras de alinn / gan con contenido de indio entre 20% y 35% se cultivaron mediante epitaxia de fase de vapor orgánico de metal sobre sustratos de silicio de alta pureza (1 1 1). las muestras se investigaron mediante espectroscopía de fotovoltaje (pv) por lo que las capas individuales se distinguieron por sus diferentes bordes de absorción.


las transiciones de borde de banda cercano agany de si demuestran la existencia de regiones de carga espacial dentro de las capas gan y el substrato si. en la geometría sándwich, el sustrato si influye significativamente en los espectros pv, que se apagan rápidamente mediante una iluminación con luz láser adicional de 690 nm. la dependencia de la intensidad y el comportamiento de saturación del enfriamiento sugieren una recarga de defectos de interfaz relacionados con si y gan que provocan un colapso de las correspondientes señales pv en la región de carga espacial.


a partir de mediciones de microscopía de potencial de superficie de barrido adicionales en configuración de bisel, evidencia adicional de la existencia de diferentes regiones de carga espacial en elgan / aln / siy se obtienen las interfaces alinn / gan.


las propiedades de la heteroestructura / capa de semilla / gan se discuten en términos de una interfaz de capa gan si / n de tipo p generada por difusión de átomos de si en gan y de átomos de ga o al en el sustrato si.


fuente: iopscience


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