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pam-xiamen ofrece 2 "capa de ingaasn sobre sustrato de gaas

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pam-xiamen ofrece 2 "capa de ingaasn sobre sustrato de gaas

2017-06-25

xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de ingaasn La oblea y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"se comercializará en masa en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen.


Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer ingaasn oblea a nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para el diodo láser. las propiedades de fotoluminiscencia de ingaasn los pozos cuánticos se examinaron como un método para mejorar el rendimiento de los láseres de 1300 nm basados ​​en gaas. entre los parámetros que afectan significativamente la calidad de este material, la temperatura de crecimiento y la relación in / n de la aleación tienen efectos particularmente profundos. temperaturas de crecimiento sustancialmente más bajas que las utilizadas normalmente para materiales de gaas o ingaas parecen mejorar la calidad de esta aleación, mientras que en fracciones de 0,3-0,35 dan como resultado un compromiso aceptable entre la deformación del pozo cuántico y la calidad óptica. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra ingaasn Las obleas son productos naturales de nuestros esfuerzos actuales, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \".


pam-xiamen ha mejorado ingaasn La línea de productos se ha beneficiado de una tecnología sólida, que cuenta con el respaldo de la universidad y el laboratorio local.


ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera:


capa

dopaje

espesor (um)

otro

Gaas

sin dopar

~ 350

oblea  substrato

ingaasn *

sin dopar

0.15

band gap \u0026 lt; 1 ev

al (0.3) ga (0.7) como

sin dopar

0.50

\u0026 emsp;

Gaas

sin dopar

2.00

\u0026 emsp;

al (0.3) ga (0.7) como

sin dopar

0.50

\u0026 emsp;


sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd


encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo. estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados ​​en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. póngase en contacto con nosotros para obtener más información sobre el producto o discutir una estructura específica de capa EPI.


acerca de ingaasn oblea


nitruro de arseniuro de galio indio, un novedoso semiconductor. capas individuales y múltiples pozos cuánticos hechos de ingaasn fue investigado. se encontró que se puede incorporar algo de nitrógeno en ingaas, pero la incorporación de nitrógeno está aparentemente limitada a concentraciones de nitrógeno muy bajas (^ 0,2%). esta concentración no es suficiente para alcanzar una longitud de onda de emisión de 1.3 / zm.


Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .

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Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.
   
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