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pam-xiamen ofrece una capa de ingaas de 2 "en sustrato inp

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pam-xiamen ofrece una capa de ingaas de 2 "en sustrato inp

2017-06-27

xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de ingaas La oblea y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"está en producción masiva en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen.


Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer ingaas oblea a nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiable para dispositivos detectores infrarrojos y de dobladillo utilizando ingaas canales nuestra Ingaa La oblea tiene excelentes propiedades, películas epitaxiales de un solo cristal de ingaas puede depositarse sobre un sustrato de cristal individual de semiconductor iii-v que tiene un parámetro reticular cercano al de la aleación específica de arseniuro de indio y galio que se va a sintetizar. se pueden usar tres sustratos: gaas, inas e inp. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra ingaas Las obleas son productos naturales de nuestros esfuerzos actuales, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \".


pam-xiamen ha mejorado ingaas La línea de productos se ha beneficiado de una tecnología sólida, que cuenta con el respaldo de la universidad y el laboratorio local.


ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera:


\u0026 emsp;

x / y

dopaje

portador  conc. [cm-3]

espesor [um]

longitud de onda [um]

celosía no coinciden

inas (y) p

0.25

ninguna

5.00e + 15

1.0

-

-

en (x) gaas

0.63

ninguna

\u0026 lt; 3.0e15

3.0

1.9

- 600 \u0026 lt; \u0026 gt; 600

inas (y) p

0.25

s

1.00e + 18

2.5

-

-

inas (y) p

0.05 \u0026 gt; 0.25

s

1.00e + 18

4.0

-

-

En p

-

s

1.00e + 18

0.25

-

-

sustrato: inp

\u0026 emsp;

s

4.30e + 18

~ 350

\u0026 emsp;

\u0026 emsp;


sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd


encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo.


acerca de ingaas oblea


arseniuro de galio del indio ( ingaas ) (alternativamente, el arseniuro de indio y galio) es una aleación ternaria (compuesto químico) de indio, galio y arsénico. el indio y el galio son ambos del grupo del boro (grupo iii) de elementos mientras que el arsénico es un elemento del pnictogen (grupo v). por lo tanto, las aleaciones hechas de estos grupos químicos se denominan compuestos \"iii-v\". porque son del mismo grupo, el indio y el galio tienen funciones similares en los enlaces químicos. ingaas es considerado como una aleación de arseniuro de galio y arseniuro de indio con propiedades intermedias entre los dos dependiendo de la proporción de galio a indio. ingaas es un semiconductor con aplicaciones en electrónica y optoelectrónica


acerca de q & un


q: capa tampón inasp graduada (típico 1-5um), n + dopada, ¿cuál es la concentración de dopaje .: 0.1-1.0e18

a: no hay problema


q: ingaas capa, 2-3um - corte de 1.9um ¿cuál es el grosor exacto? 3.0um

a: no hay problema


q: capa inasp, 0.5-1um - celosía combinada con el ingaas capa debajo, ver mi último correo electrónico, la capa de buffer inasp tiene como función principal para reducir la densidad de dislocación en el material, el grosor debe seguir de su trabajo interno

a: no hay problema


q: ¿cuál es la rugosidad de la superficie requerida?

a: nunca caracterizamos este material hacia la rugosidad ya que tiene sombreado; las características eléctricas del material procesado hacia los diodos pin (corriente oscura) es mucho más importante. nuestra aspereza debe estar sobre ra = 10nm


q: ¿qué es la EPD? epd \u0026 lt; = 500 / cm2

a: el epd del sustrato debe ser \u0026 lt; = 500 / cm2, epd de la oblea total \u0026 lt; = 10 ^ 6 / cm2


q: ¿cuál es la cantidad?

a: para evaluación: 2 o 3, después de la calificación: 5-10, no hay problema


q: orientación del sustrato: según su mejor conocimiento, observación similar en cuanto a la capa de buffer de inasp y la rugosidad; otro proveedor estaba usando (100) 2deg fuera de +/- 0.1

a: nuestra orientación de sustrato debe ser (100) +/- 0.5deg


Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net,

s terminar con nosotros por correo electrónico en angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .

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Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.
   
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