xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de gaasp Los materiales y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de 2 \"-3\" de tamaño se producirá en masa en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer gaasp obleas a nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para dispositivos emisores de luz roja. nuestra gaasp el material tiene propiedades excelentes, como uniforme en la composición y / o uniforme en la eficiencia cuántica externa. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra gaasp materialare natural por productos de nuestros esfuerzos continuos, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \".

pam-xiamen ha mejorado gaasp línea de productos se ha beneficiado de la tecnología fuerte. apoyo de la universidad nativa y el centro de laboratorio.

ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera:

sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd

encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo.

acerca de gaasp

El fosfuro de arseniuro de galio (gaas1-xpx) es un material semiconductor, una aleación de arseniuro de galio y fosfuro de galio. existe en varias proporciones de composición indicadas en su fórmula por la fracción x.gallium El fosfuro de arseniuro se usa para fabricar diodos emisores de luz roja, naranja y amarilla. a menudo se cultiva en sustratos de fosfuro de galio para formar una heteroestructura gap / gaasp. para ajustar sus propiedades electrónicas, puede estar dopado con nitrógeno (gaasp: n).

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net , envíanos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .