quienes somos

como el principal fabricante de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materi7
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después de más de 20 años de acumulación y desarrollo, nuestra compañía tiene una ventaja obvia en innovación tecnológica y grupo de talentos. en el futuro, necesitamos acelerar el ritmo de acción real para proporcionar a los clientes mejores productos y servicios
doctor chan -Ceo de xiamen powerway material avanzado co., ltd

nuestros productos

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

gan en silicio

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

gaas cristal

obleas de gaas (arseniuro de galio)

pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7

cristal sic

epitaxy sic

proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

gan expitaxy

oblea epitaxial led basada gan

La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).

gan hemt epitaxy

gan hemt oblea epitaxial

Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .

cristal sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

Por qué elegirnos

  • buen servicio de ventas

    nuestro objetivo es cumplir con todos sus requisitos, no importa cuán pequeñas sean las órdenes y cuán difíciles son las preguntas pueden ser, para mantener un crecimiento sostenido y rentable para cada cliente a través de nuestros productos calificados y un servicio satisfactorio.

  • Más de 25 años de experiencia

    con más que 25 + años experiencias en el campo de material semiconductor compuesto y en el negocio de exportación, nuestro equipo puede asegurarle que podemos entender sus requisitos y tratar su proyecto profesionalmente.

  • calidad confiable

    la calidad es nuestra primera prioridad. pam-xiamen ha sido iso9001: 2008 , posee y comparte cuatro modernas facories que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes, y cada pedido tiene que ser manejado a través de nue7

  • soporte de tecnología gratuito y profesional

    puede obtener nuestro servicio de tecnología gratuito desde la consulta hasta el servicio posterior basado en nuestro Más de 25 experiencias en la línea de semiconductores.

"Las obleas de carburo de silicio han llegado hoy, ¡y estamos muy contentos con ellas! ¡Felicitaciones a su equipo de producción!"
dennis, universidad de exeter
2018-Jan-25
"gracias por la respuesta rápida de mis preguntas y el precio competitivo, es muy útil para nosotros, ordenaremos de nuevo pronto"
markus sieger, universidad de ulm
2018-Jan-25
"Queridos equipos de pam-xiamen, gracias por su opinión profesional, el problema fue resuelto, estamos muy contentos de ser su compañero"
raman k. chauhan, seren fotónica
2018-Jan-25
"Hemos estado utilizando las obleas epidérmicas de powerway para algunos de nuestros trabajos. Estamos muy impresionados con la calidad de la epi".
james s.speck, departamento de materiales de la universidad de california
2018-Jan-25

las universidades y empresas más famosas del mundo confían en nosotros

últimas noticias

crecimiento de películas 3c-sic en sustratos si por epitaxia trifásica vapor-líquido-sólido

2018-10-13

Se depositaron películas sic cúbicas (3c-sic) sobre sustratos (111) si mediante un método de crecimiento trifásico vapor-líquido-sólido. en tal proceso, una fina capa de cobre, que se evaporó en el sustrato si antes del crecimiento, se fundió a alta temperatura a medida que el flujo y luego el metano (fuente de carbono) se difundió en la capa líquida para reaccionar con Si, lo que condujo al crecimiento de sic en el sustrato. el cobre mostró algunas buenas propiedades como el flujo, incluida la alta solubilidad de silicio y carbono, baja temperatura de crecimiento y baja volatilidad. se identificaron los parámetros de crecimiento adecuados para el flujo de cobre, bajo los cuales (111) se cultivaron películas texturizadas 3c-sic. se observó un pequeño número de (220) granos incrustados en las películas (111), que eran difíciles de evitar por completo. los pozos de grabado de la masa fundida de cu sobre la superficie del sustrato pueden actuar como los sitios preferidos para el crecimien...

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Estudios integrados de emisión óptica del plasma de germanio producido por láser

2018-09-17

presentamos nuevos datos integrados en el tiempo sobre los espectros de emisión óptica de plasma de germanio producido por láser usando un láser nd: yag q-switched (1064 nm), densidad de potencia de hasta aproximadamente 5 × 109 w cm-2 junto con un conjunto de cinco espectrómetros cubriendo un rango espectral de 200 nm a 720 nm. estructura bien resuelta debido a la matriz de transición 4p5s → 4p2 de germanio neutro y se han observado algunos multipletes de germanio ionizado individualmente. la temperatura del plasma se ha determinado en el rango (9000-11 000) k usando cuatro técnicas diferentes; método de razón de dos líneas, diagrama de Boltzmann, diagrama de saha-boltzmann y técnica de marotta, mientras que la densidad electrónica se deduce de los perfiles de línea amplia ampliada en el rango (0.5-5.0) × 1017 cm-3, dependiendo de la energía del pulso láser para producir plasma de germanio. se ha extraído el ancho completo a la mitad del máximo (fwhm) de varias líneas de germanio neut...

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Silicon carbide of Ni/6H-SiC and Ti/4H-SiC type Schottky diode current-voltage characteristics modelling

2018-04-19

On the base of the physical analytical models based on Poisson's equation, drift–diffusion and continuity equations the forward current–voltage characteristics of 6H-SiC and 4H-SiC type Schottky diode with Ni and Ti Schottky contact have been simulated. It is shown on the base of analysis of current–voltage characteristics in terms of classical thermionic emission theory it is shown that the proposed simulation model of Schottky diode corresponds to the almost "ideal" diode with ideality factor n equals 1.1. Because of this it is determined that the effective Schottky barrier height phivB equals 1.57 eV and 1.17 eV for Ni/6H and Ti/4H silicon carbide Schottky diode type, respectively. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Molecular beam epitaxy growth of germanium junctions for multi-junction solar cell applications

2018-04-13

We report on the molecular beam epitaxy (MBE) growth and device characteristics of Ge solar cells. Integrating a Ge bottom cell beneath a lattice-matched triple junction stack grown by MBE could enable ultra-high efficiencies without metamorphic growth or wafer bonding. However, a diffused junction cannot be readily formed in Ge by MBE due to the low sticking coefficient of group-V molecules on Ge surfaces. We therefore realized Ge junctions by growth of homo-epitaxial n-Ge on p-Ge wafers within a standard III–V MBE system. We then fabricated Ge solar cells, finding growth temperature and post-growth annealing to be key factors for achieving high efficiency. Open-circuit voltage and fill factor values of ~0.175 V and ~0.59 without a window layer were obtained, both of which are comparable to diffused Ge junctions formed by metal-organic vapor phase epitaxy. We also demonstrate growth of high-quality, single-domain GaAs on the Ge junction, as needed for subsequent growth of III–V subcel...

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micro espejo de gan-on-gan en una plataforma gan-on-silicon

2018-04-02

Presentamos aquí un proceso de doble cara para la fabricación de un microespejo gan de peine-gan en una plataforma gan-on-silicon. un sustrato de silicio primero se modela desde la parte posterior y se elimina mediante un grabado iónico reactivo profundo, dando como resultado losas de gan totalmente suspendidas. Las microestructuras de Gan, que incluyen las barras de torsión, los peines móviles y la placa de espejo, se definen a continuación en una losa de gan independiente mediante la técnica de alineación de la parte trasera y se generan mediante ataque rápido con haz de átomos con gas cl2. aunque los microrreflejos ganados fabricados con arrastre de peine son desviados por la tensión residual en las películas finas de Gan, pueden operar sobre un sustrato de silicio de alta resistividad sin introducir ninguna capa de aislamiento adicional. los ángulos de rotación óptica se caracterizan experimentalmente en los experimentos de rotación. este trabajo abre la posibilidad de producir dis...

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pam-xiamen ofrece servicio epi para crecimiento de obleas láser a base de gaas

2018-03-21

xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de servicio epi para crecimiento de obleas láser a base de gaas y otros productos y servicios relacionados anunció la nueva disponibilidad de tamaño 3 \"en producción en masa en 2017. Este nuevo producto representa un producto natural Además de la línea de productos de pam-xiamen. Dr. Shaka dijo: \"nos complace ofrecer a nuestros clientes una estructura de láser de pozos cuánticos, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para el elemento activo básico (fuente de luz láser) de la comunicación de fibra óptica de Internet. Nuestra estructura epitaxial de diodo láser es excelente propiedades, láseres de pozo cuántico basados ​​en arseniuro de galio y obleas de fosfuro de indio, los láseres que utilizan pozos cuánticos y los modos discretos de electrones son fabricados por ambas técnicas de movpe y mbe, se producen en una variedad de longitudes de onda desde el régimen ultravioleta al thz. los láseres...

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proceso de generación de thz en lt-gaas

2018-03-13

proceso de generación de thz en lt-gaas la conversión hacia abajo óptica es la técnica comercial más exitosa para la generación de thz que usa gaas cultivadas a baja temperatura ( lt-gaas ) la técnica a menudo se conoce como espectroscopía de dominio de tiempo de terahercios (thz-tds). esta técnica funciona mediante excitación de pulso óptico de un interruptor fotoconductor. aquí, un pulso de láser de femtosegundo ilumina un espacio entre dos electrodos (o antena) impresos en un sustrato semiconductor , ver figura 1. El pulso del láser crea electrones y orificios que luego son acelerados por la polarización aplicada entre los electrodos, esta fotocorriente transitoria, que está acoplada a una antena, contiene componentes de frecuencia que reflejan la duración del pulso, generando una onda electromagnética que contiene estos componentes en una configuración de thz-tds, la radiación thz se detecta usando un dispositivo receptor que es idéntico al emisor del conmutador fotoconductor, y es...

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el fet de poder de algan / gan en sustrato de silicio

2018-03-12

el poder de algan / gan es un transistor de efecto de campo de nitruro de galio (algan) / nitruro de galio (gan) de aluminio fabricado en un silicio de bajo costo. el transistor usa la tecnología de crecimiento de cristales de panasonic y materiales que tienen más de 10 veces el voltaje de ruptura y una resistencia inferior a 1/5 del silicio existente (si). como resultado, ha logrado una tensión de ruptura de 350 v, igual que la potencia de los semiconductores de óxido de metal (mos), una resistencia específica muy baja en el estado de 1,9 m ohm cm2 (por debajo de 1/10 de la potencia SI), y conmutación de potencia de alta velocidad de menos de 0.1 nanosegundos (por debajo de 1/100 de potencia si). el transistor también tiene una capacidad de manejo actual de 150 a (más de cinco veces que la potencia si). solo uno de estos nuevos transistores puede sustituir a más de 10 fuentes de alimentación conectadas en paralelo, lo que contribuye significativamente al ahorro de energía y la miniatu...

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caracterización óptica de inas película cultivada en sustrato sno2 mediante la técnica de electrodeposición

2018-03-05

películas de arseniuro de indio se han cultivado mediante un proceso de electrodeposición a baja temperatura sobre un sustrato de óxido de estaño (sno2). Los estudios de difracción de rayos X mostraron que las películas tal como se crecieron están mal cristalizadas y el tratamiento térmico mejoró la cristalinidad de las películas inas. las mediciones microscópicas de la fuerza atómica revelaron que la superficie de la película inas está formada por partículas cuyo tamaño de grano depende de los parámetros de la electrólisis; hemos encontrado que el tamaño del grano aumenta con la densidad de corriente de la electrólisis. las mediciones de absorción muestran que la energía del espacio de banda se desplaza al rojo con un tamaño de partícula creciente. este resultado puede interpretarse como una consecuencia del efecto de confinamiento cuántico sobre los portadores en los nanocristales. fuente: iopscience Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http: // www.semic...

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pam-xiamen ofrece algainas oblea epitaxial para diodo láser

2018-03-02

xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de estructura epitaxial de diodo láser y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de tamaño 3 \"está en producción masiva en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a pam-xiamen línea de productos. Dr. Shaka dijo: \"nos complace ofrecerles estructura epitaxial de diodo láser a nuestros clientes, incluidos muchos que están desarrollando mejor y más confiable para láser dpss. Nuestra estructura epitaxial de diodo láser tiene excelentes propiedades, perfil de dopaje personalizado para bajas pérdidas de absorción y modo único de alta potencia operación, región activa optimizada para eficiencia cuántica 100% interna, diseño especial de guía de onda ancha (bwg) para operación de alta potencia y / o baja divergencia de emisión para un acoplamiento de fibra efectivo. La disponibilidad mejora los procesos de crecimiento y oblea de bolas \". y \"nuestros clientes ahora pueden b...

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