quienes somos

como el principal fabricante de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materi7
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después de más de 20 años de acumulación y desarrollo, nuestra compañía tiene una ventaja obvia en innovación tecnológica y grupo de talentos. en el futuro, necesitamos acelerar el ritmo de acción real para proporcionar a los clientes mejores productos y servicios
doctor chan -Ceo de xiamen powerway material avanzado co., ltd

nuestros productos

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

gan en silicio

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

gaas cristal

obleas de gaas (arseniuro de galio)

pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7

cristal sic

epitaxy sic

proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

gan expitaxy

oblea epitaxial led basada gan

La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).

gan hemt epitaxy

gan hemt oblea epitaxial

Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .

cristal sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

Por qué elegirnos

  • soporte de tecnología gratuito y profesional

    puede obtener nuestro servicio de tecnología gratuito desde la consulta hasta el servicio posterior basado en nuestro Más de 25 experiencias en la línea de semiconductores.

  • buen servicio de ventas

    nuestro objetivo es cumplir con todos sus requisitos, no importa cuán pequeñas sean las órdenes y cuán difíciles son las preguntas pueden ser, para mantener un crecimiento sostenido y rentable para cada cliente a través de nuestros productos calificados y un servicio satisfactorio.

  • Más de 25 años de experiencia

    con más que 25 + años experiencias en el campo de material semiconductor compuesto y en el negocio de exportación, nuestro equipo puede asegurarle que podemos entender sus requisitos y tratar su proyecto profesionalmente.

  • calidad confiable

    la calidad es nuestra primera prioridad. pam-xiamen ha sido iso9001: 2008 , posee y comparte cuatro modernas facories que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes, y cada pedido tiene que ser manejado a través de nue7

"Hemos estado utilizando las obleas epidérmicas de powerway para algunos de nuestros trabajos. Estamos muy impresionados con la calidad de la epi".
james s.speck, departamento de materiales de la universidad de california
2018-01-25
"Queridos equipos de pam-xiamen, gracias por su opinión profesional, el problema fue resuelto, estamos muy contentos de ser su compañero"
raman k. chauhan, seren fotónica
2018-01-25
"gracias por la respuesta rápida de mis preguntas y el precio competitivo, es muy útil para nosotros, ordenaremos de nuevo pronto"
markus sieger, universidad de ulm
2018-01-25
"Las obleas de carburo de silicio han llegado hoy, ¡y estamos muy contentos con ellas! ¡Felicitaciones a su equipo de producción!"
dennis, universidad de exeter
2018-01-25

las universidades y empresas más famosas del mundo confían en nosotros

últimas noticias

Type-I mid-infrared InAs/InGaAs quantum well lasers on InP-based metamorphic InAlAs buffers

2018-08-14

InAs/InGaAs quantum well laser structures have been grown on InP-based metamorphic In0.8Al0.2As buffers by gas source molecular beam epitaxy. The effects of barrier and waveguide layers on the material qualities and device performances were characterized. X-ray diffraction and photoluminescence measurements prove the benefits of the strain compensation in the active quantum well region on the material quality. The device characteristics of the lasers with different waveguide layers reveal that the separate confinement heterostructure plays a crucial role on the device performances of these metamorphic lasers. Type-I emissions in the 2–3 µm range have been achieved in these InP-based metamorphic antimony-free structures. By combining the strain-compensated quantum wells and separate confinement heterostructures, the laser performances have been improved and laser emission up to 2.7 µm has been achieved. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semicondu...

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caracterización del fotodiodo gasb para la detección de rayos gamma

2018-08-10

extraemos los productos de la vida útil de la movilidad del portador para gasb crecido epitaxialmente y demostramos la respuesta espectral a los rayos gamma de un gas fotodiodo p-i-n con una región de absorción de 2 μm de espesor. bajo exposición de fuentes radiactivas de 55fe y 241am a 140 k, el fotodiodo exhibe ancho completo a la mitad de resoluciones de energía máxima de 1.238 ± 0.028 y 1.789 ± 0.057 kev a 5.89 y 59.5 kev, respectivamente. observamos una buena linealidad del fotodiodo de gas en un rango de energías de fotones. el ruido electrónico y el ruido de retención de carga se miden y se muestran como los componentes principales que limitan las resoluciones de energía medidas. fuente: iopscience Para mayor información por favor visite nuestra página web: , envíenos un correo electrónico a o

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crecimiento de películas epitaxiales gan en diamante policristalino por epitaxia de fase de vapor orgánico de metal

2018-08-01

La extracción de calor a menudo es esencial para garantizar el rendimiento eficiente de los dispositivos semiconductores y requiere minimizar la resistencia térmica entre las capas semiconductoras funcionales y cualquier disipador de calor. este papel informa el crecimiento epitaxial de n-polar películas de gan en sustratos de diamante policristalino de alta conductividad térmica con epitaxia de fase de vapor orgánico-metal, mediante el uso de una capa si x c formada durante la deposición de diamante policristalino sobre un sustrato de silicio. la capa si x c actúa para proporcionar la información de ordenamiento de la estructura necesaria para la formación de una película de cristal único gan en la escala de la oblea. se muestra que un proceso de crecimiento en isla tridimensional (3d) elimina los defectos hexagonales que son inducidos por la naturaleza cristalina no única de la capa si x c. también se muestra que se puede implementar un crecimiento en 3D intensivo y la introducción d...

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inas / insb heteroestructuras de nanocables cultivadas por epitaxia de haz químico

2018-07-25

informamos el crecimiento de la epitaxia del haz químico au-asistido de nanoalambres Insble de zincblenda libre de defectos. el adulto insub segmentos son las secciones superiores de inas / heteroestructuras insb en inas (111) b substratos. mostramos, a través del análisis de hrtem, que el zincblenda insb se puede cultivar sin defectos cristalinos, tales como fallas de apilamiento o planos gemelos. El análisis del mapa de deformación demuestra que el segmento insb está casi relajado a unos pocos nanómetros de la interfaz. mediante estudios posteriores al crecimiento, hemos encontrado que la composición de partículas de catalizador es auin2, y puede variarse a una aleación de auin enfriando las muestras bajo el flujo de tdmasb. fuente: iopscience Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: , envíenos un correo electrónico a o

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detector ángulo CZT inclinada para la ponderación con contador de fotones / energía de rayos X y formación de imágenes CT

2018-07-17

La obtención de imágenes por rayos X con un detector de conteo de fotones / ponderación de energía puede proporcionar la mayor relación señal / ruido (snr). la adquisición de imágenes de rayos X con ranuras y hendiduras múltiples puede proporcionar un rechazo de dispersión eficiente en cuanto a la dosis, lo que aumenta el snr. el uso de un detector de conteo de fotones / ponderación de energía en una geometría de adquisición de rendija de corte / hendidura múltiple podría proporcionar la mayor eficiencia de dosis posible en imágenes por rayos X y ct. Actualmente, el detector de recuento de fotones más avanzado es el detector de teluro de cadmio y zinc (czt), que, sin embargo, no es óptimo para la obtención de imágenes de rayos X con resolución de energía. En este trabajo, se propone un detector de ángulo inclinado czt para aplicaciones en recuento de fotones / ponderación de energía, rayos X y tomografía computarizada. en la configuración de ángulo inclinado, el haz de rayos X golpea l...

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crecimiento monocristalino y propiedades termoeléctricas de ge (bi, sb) 4te7

2018-07-12

las propiedades termoeléctricas entre 10 y 300 k y el crecimiento de monocristales de tipo n y p de tipo p Se informaron soluciones sólidas de bi4te7, gesb4te7 y ge (bi1-xsbx) 4te7. los cristales individuales se cultivaron mediante el método de bridgman modificado, y el comportamiento de tipo p se logró mediante la sustitución de bi por sb en gebi4te7. la termopotencia en la solución sólida ge (bi1-xsbx) 4te7 varía de -117 a +160 μv k-1. el cruce de n-type a p-type es continuo con el aumento de contenido sb y se observa a x ≈0.15. las eficiencias termoeléctricas más altas entre las muestras de tipo n y de tipo p probadas son znt = 0,11 y zpt = 0,20, respectivamente. para un par n-p óptimo en este sistema de aleación, la cifra compuesta de mérito es znpt = 0.17 a temperatura ambiente. fuente: iopscience Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: . envíenos un correo electrónico a o

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grafeno en carburo de silicio puede almacenar energía

2018-07-04

el material más delgado jamás producido, el grafeno, consiste en una sola capa de átomos de carbono. forman una estructura de alambre de pollo de un átomo de grosor, con propiedades únicas. es alrededor de 200 veces más resistente que el acero y altamente flexible. es transparente, pero los gases y líquidos no pueden atravesarlo. además, es un excelente conductor de electricidad. hay muchas ideas sobre cómo se puede usar este nanomaterial, y la investigación sobre aplicaciones futuras es intensa. "El grafeno es fascinante, pero extremadamente difícil de estudiar", dice mikhail vagin, ingeniero principal de investigación del departamento de ciencia y tecnología y del departamento de física, química y biología en la universidad de Linköping. uno de los factores que contribuyen a la dificultad en la comprensión de las propiedades de grafeno es que es lo que se conoce como material "anisotrópico". esto significa que sus propiedades cuando se miden en la superficie del p...

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espectroscopía de emisión óptica de deposición de capa atómica mejorada con plasma de fosfito de galio

2018-06-27

la capacidad de la espectroscopía de emisión óptica para el estudio in situ y el control de la deposición de capa atómica mejorada con plasma (pe-ald) defosfuro de galiode fosfina y trimetilgallium transportado por hidrógeno. la composición del gas que cambia durante el proceso de pe-ald se controló mediante mediciones in situ de la intensidad de emisión óptica para líneas de fosfina e hidrógeno. para el proceso pe-ald donde los pasos de deposición de fósforo y galio se separan en el tiempo se observó una influencia negativa del exceso de acumulación de fósforo en las paredes de la cámara. de hecho, el fósforo depositado en las paredes durante la etapa de descomposición de ph3 se graba con plasma de hidrógeno durante la siguiente etapa de descomposición de trimetilgallium, lo que conduce a una deposición química de vapor convencional e incontrolable no deseada. para reducir este efecto, se ha propuesto introducir un paso de grabado con plasma de hidrógeno, que permite grabar el exceso ...

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propiedades fotoeléctricas de la intercapa de gan / aln no dopada / interfaz de alta pureza si (1 1 1)

2018-06-21

las heteroestructuras de alinn / gan con contenido de indio entre 20% y 35% se cultivaron mediante epitaxia de fase de vapor orgánico de metal sobre sustratos de silicio de alta pureza (1 1 1). las muestras se investigaron mediante espectroscopía de fotovoltaje (pv) por lo que las capas individuales se distinguieron por sus diferentes bordes de absorción. las transiciones de borde de banda cercano agany de si demuestran la existencia de regiones de carga espacial dentro de las capas gan y el substrato si. en la geometría sándwich, el sustrato si influye significativamente en los espectros pv, que se apagan rápidamente mediante una iluminación con luz láser adicional de 690 nm. la dependencia de la intensidad y el comportamiento de saturación del enfriamiento sugieren una recarga de defectos de interfaz relacionados con si y gan que provocan un colapso de las correspondientes señales pv en la región de carga espacial. a partir de mediciones de microscopía de potencial de superficie de b...

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Determinación de la ubicación de la celosía de trazas de dopantes de nitrógeno en carburo de silicio semiconductor (sic)

2018-06-12

el detector de rayos X superconductor desarrollado por aist, utilizado para identificar n dopantes a una concentración muy baja en sic (izquierda) y sc-xafs instalados en una línea de haz de fábrica de fotones, kek (derecha) Unos investigadores han desarrollado un instrumento para la espectroscopia de estructura fina de absorción de rayos x (xafs) equipado con un detector superconductor. con el instrumento, los investigadores se dieron cuenta, por primera vez, del análisis de la estructura local de nitrógeno (n) dopantes (átomos de impurezas a muy baja concentración), que fueron introducidos por plantación de iones en carburo de silicio ( sic ), un semiconductor de gran ancho de banda, y son necesarios para que sic sea un semiconductor de tipo n. Se espera que los dispositivos de potencia semiconductores de gran espacio, que permiten la reducción de la pérdida de potencia, contribuyan a la supresión de las emisiones de CO2. para producir dispositivos que usan sic, uno de los materiales...

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