quienes somos

como el principal fabricante de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materi7
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después de más de 20 años de acumulación y desarrollo, nuestra compañía tiene una ventaja obvia en innovación tecnológica y grupo de talentos. en el futuro, necesitamos acelerar el ritmo de acción real para proporcionar a los clientes mejores productos y servicios
doctor chan -Ceo de xiamen powerway material avanzado co., ltd

nuestros productos

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

gan en silicio

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

gaas cristal

obleas de gaas (arseniuro de galio)

pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7

cristal sic

epitaxy sic

proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

gan expitaxy

oblea epitaxial led basada gan

La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).

gan hemt epitaxy

gan hemt oblea epitaxial

Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .

cristal sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

Por qué elegirnos

  • soporte de tecnología gratuito y profesional

    puede obtener nuestro servicio de tecnología gratuito desde la consulta hasta el servicio posterior basado en nuestro Más de 25 experiencias en la línea de semiconductores.

  • buen servicio de ventas

    nuestro objetivo es cumplir con todos sus requisitos, no importa cuán pequeñas sean las órdenes y cuán difíciles son las preguntas pueden ser, para mantener un crecimiento sostenido y rentable para cada cliente a través de nuestros productos calificados y un servicio satisfactorio.

  • Más de 25 años de experiencia

    con más que 25 + años experiencias en el campo de material semiconductor compuesto y en el negocio de exportación, nuestro equipo puede asegurarle que podemos entender sus requisitos y tratar su proyecto profesionalmente.

  • calidad confiable

    la calidad es nuestra primera prioridad. pam-xiamen ha sido iso9001: 2008 , posee y comparte cuatro modernas facories que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes, y cada pedido tiene que ser manejado a través de nue7

"Hemos estado utilizando las obleas epidérmicas de powerway para algunos de nuestros trabajos. Estamos muy impresionados con la calidad de la epi".
james s.speck, departamento de materiales de la universidad de california
2018-01-25
"Queridos equipos de pam-xiamen, gracias por su opinión profesional, el problema fue resuelto, estamos muy contentos de ser su compañero"
raman k. chauhan, seren fotónica
2018-01-25
"gracias por la respuesta rápida de mis preguntas y el precio competitivo, es muy útil para nosotros, ordenaremos de nuevo pronto"
markus sieger, universidad de ulm
2018-01-25
"Las obleas de carburo de silicio han llegado hoy, ¡y estamos muy contentos con ellas! ¡Felicitaciones a su equipo de producción!"
dennis, universidad de exeter
2018-01-25

las universidades y empresas más famosas del mundo confían en nosotros

últimas noticias

Generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide on a germanium substrate

2019-02-11

The possibility of efficient generation of difference-frequency radiation in the far- and mid-IR ranges in a two-chip laser based on gallium arsenide grown on a germanium substrate is considered. It is shown that a laser with a waveguide of width 100 μm emitting 1 W in the near-IR range can generate ≈40 μW at the difference frequency in the region 5—50 THz at room temperature. Source:IOPscience For more information, please visit our website: www.semiconductorwafers.net, send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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PAM XIAMEN is comparable to the UK IQE to build Asian VCSEL epitaxial core supply chain

2019-01-28

PAM XIAMEN is comparable to the UK IQE to build Asian VCSEL epitaxial core supply chain Xiamen Powerway focuses on high-end compound semiconductor epitaxial R&D and manufacturing. In 2018, the 4-inch and 6-inch VCSELs were mass-produced and entered the mainstream chip manufacturers in Taiwan. Utilizing state-of-the-art MBE (Molecular Epitaxial Beam Epitaxy) mass production technology to achieve the highest quality of the industry's largest quality VCSEL epitaxial products. As more and more smartphone and IT equipment vendors follow Apple's footsteps, VCEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)-based 3D sensor systems will be integrated into their new electronics. According to Memes Consulting, the shipment of VCSEL chips for smartphones next year is expected to double to 240 million in 2018. In the next five years, the global VCSEL market will continue to grow with the capacity of relevant suppliers in the international arena. The market size will grow to $3.12 billion by 2022, ...

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Crecimiento semicoherente de las capas de Bi2Te3 en sustratos InP por epitaxia de pared caliente

2019-01-21

Buscamos condiciones de crecimiento óptimas para realizar planos. Capas BiTe en InP (111) B por epitaxia de pared caliente. El sustrato proporciona un desajuste de celosía relativamente pequeño, y las capas orientadas (0001) crecen semicoherentemente. Se encuentra que la ventana de temperatura para el crecimiento es estrecha debido a la falta de coincidencia de la red que no es cero y la rápida evaporación de BiTe. Las cualidades cristalinas evaluadas mediante difracción de rayos X revelan deterioros cuando la temperatura del sustrato se desvía de lo óptimo no solo a bajas temperaturas sino también a altas temperaturas. Para temperaturas de sustrato altas, la composición Bi aumenta a medida que Te se pierde parcialmente por sublimación. Mostramos, además, que la exposición del flujo BiTe a temperaturas aún más altas da como resultado un ataque químico anisotrópico de los sustratos debido, presumiblemente, a la sustitución de Bi por los átomos de In de los sustratos. Al aumentar las cap...

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Torneado diamantado de una pequeña matriz de lentes Fresnel en un solo cristal InSb

2019-01-14

Un pequeño conjunto de lentes de Fresnel era diamante convertido en un oblea de cristal único InSb utilizando una herramienta de diamante de un solo punto con ángulo de inclinación negativo (−25 °) de medio radio. La matriz mecanizada consistía en tres lentes de Fresnel cóncavas cortadas bajo diferentes secuencias de mecanizado. Los perfiles de lente de Fresnel se diseñaron para operar en el dominio paraxial con una distribución de fase cuadrática. La muestra se examinó mediante microscopía electrónica de barrido y un perfilómetro óptico. También se utilizó la profilometría óptica para medir la rugosidad de la superficie de la superficie mecanizada. Se observaron virutas dúctiles en forma de cinta en la cara de rastrillo de la herramienta de corte. No se observaron signos de desgaste del filo en la herramienta de diamante. La superficie mecanizada presentaba una fase amorfa probada por espectrometría micro Raman. Se realizó un tratamiento térmico exitoso de recocido para recuperar la f...

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Modelado de crecimiento en capas de procesos de crecimiento epitaxial para politipos de SiC

2019-01-08

Procesos de crecimiento epitaxial para Politipos de SiC en el que un Sustrato de SiC Se emplea se estudian utilizando un modelo de crecimiento en capas. Se dan los correspondientes diagramas de fase de los procesos de crecimiento epitaxial. Los cálculos de los primeros principios se utilizan para determinar los parámetros en el modelo de crecimiento en capas. Los diagramas de la fase de crecimiento en capas muestran que cuando se permite la transposición de los átomos en una superficie de bicapa Si-C, se forma la estructura 3C-SiC. Cuando se permite el reordenamiento de los átomos en dos bicapas Si-C de superficie, el 4H-SiC Se forma la estructura. Cuando se permite la reorganización de los átomos en más de dos bicapas Si-C de superficie, excepto en el caso de cinco bicapas Si-C de superficie, se forma la estructura 6H-SiC, que también se muestra como la estructura del estado fundamental. Cuando se permite la transposición de los átomos en cinco bicapas de Si-C de superficie, se forma ...

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Procesamiento y propiedades mecánicas de los compuestos de matriz de metal de aluminio y carburo de silicio

2019-01-03

En este estudio, carburo de aluminio y silicio Los compuestos de matriz metálica (Al-SiC) (MMC) de diferentes composiciones se prepararon bajo diferentes cargas de compactación. Se fabricaron tres tipos diferentes de muestras compuestas de Al-SiC con fracciones de 10%, 20% y 30% en volumen de carburo de silicio utilizando una ruta de metalurgia de polvos convencional. Las muestras de diferentes composiciones se prepararon bajo diferentes cargas de compactación de 10 toneladas y 15 toneladas. Se investigó el efecto de la fracción de volumen de partículas de SiC y la carga de compactación en las propiedades de los compuestos de Al / SiC. Los resultados obtenidos muestran que la densidad y la dureza de los compuestos están muy influenciadas por la fracción de volumen de partículas de carburo de silicio. Los resultados también muestran que la densidad, la dureza y la microestructura de los compuestos de Al-SiC se ven influenciados significativamente en función de la carga de compactación. ...

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Defectos y propiedades del dispositivo de GaAs semiaislantes

2018-12-26

Es bien sabido que hay muchos precipitados de arsénico en LEC GaAs , las dimensiones de las cuales son 500-2000 AA. Los autores han descubierto recientemente que estos precipitados de arsénico afectan las propiedades del dispositivo de los MESFETS de tipo cloruro epitaxial. También afectan la formación de pequeños defectos ovalados superficiales en las capas MBE. Para reducir la densidad de estos precipitados de arsénico, se ha desarrollado una tecnología de recocido de obleas múltiples (MWA) en la que las obleas se recocen primero a 1100 grados C y luego a 950 grados C. Al realizar este recocido, sustratos altamente uniformes con bajo precipitado de arsénico Se pueden obtener densidades, PL y CL uniformes, distribuciones de resistividad microscópicas uniformes y morfología superficial uniforme después del grabado AB. Estos MWA obleas mostró bajas variaciones de voltaje de umbral para MESFETS tipo implante de iones condensados. En el presente trabajo se revisan trabajos recientes y se ...

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Pasivación superficial y propiedades eléctricas del cristal p-CdZnTe

2018-12-17

Las propiedades eléctricas de los contactos de Au / p-CdZnTe con diferentes tratamientos de superficie, especialmente el tratamiento de pasivación, se investigan en este documento. Después de la pasivación, un Capa de oxido teO2 con un espesor de 3.1 nm en la CdZnTe La superficie fue identificada mediante análisis XPS. Mientras tanto, los espectros de fotoluminiscencia (PL) confirmaron que el tratamiento de pasivación minimizó la densidad del estado de la trampa de superficie y disminuyó los defectos de nivel profundo relacionados con la recombinación de vacantes de Cd. Se midieron las características de corriente-voltaje y capacitancia-voltaje. Se demostró que el tratamiento de pasivación podría aumentar la altura de la barrera del contacto Au / p-CdZnTe y disminuir la corriente de fuga. fuente: iopscience Otro m productos de mineral CdZnTe como Oblea de CdZnTe , Cristal CZT , Telluride De Zinc Cadmio Bienvenido a nuestro sitio web:semiconductorwafers.net Envíenos un correo electrónic...

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Enlace de superficie activado de GaAs y obleas de SiC a temperatura ambiente para mejorar la disipación del calor en láseres semiconductores de alta potencia

2018-12-11

La gestión térmica de los láseres semiconductores de alta potencia es de gran importancia ya que la potencia de salida y la calidad del haz se ven afectadas por el aumento de temperatura de la región de ganancia. Las simulaciones térmicas de un láser de emisión de superficie con cavidad externa-vertical por un método de elementos finitos mostraron que la capa de soldadura entre la película delgada semiconductora que consiste en la región de ganancia y un disipador de calor tiene una gran influencia en la resistencia térmica y la unión directa. Se prefiere lograr una disipación de calor efectiva. Para realizar láseres semiconductores de película delgada unidos directamente sobre un sustrato de alta conductividad térmica, se aplicó una unión activada en la superficie utilizando un haz de átomo rápido de argón a la unión del arseniuro de galio ( GaAs Wafer ) y carburo de silicio oblea (SiC obleas) . Los GaAs o Sic la estructura se demostró en la escala de obleas (2 pulg. de diámetro) a te...

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Fotodiodos de guía de onda de alta uniformidad fabricados en una oblea InP de 2 pulgadas con baja intensidad de corriente oscura y alta capacidad de respuesta

2018-12-04

Hemos fabricado fotodiodos de guía de onda con características de alta uniformidad en un Oblea de InP de 2 pulgadas Introduciendo un proceso novedoso. los Oblea de 2 pulgadas el procedimiento de fabricación se llevó a cabo con éxito utilizando la deposición de SiNx en la parte posterior de la oblea para compensar la urdimbre de la oblea. Casi todos los fotodiodos de guía de onda medidos mostraron baja corriente oscura (promedio 419 pA, σ = 49 pA a 10 V de tensión de polarización inversa) en toda la oblea de 2 pulgadas, y se obtuvo una alta capacidad de respuesta de 0.987 A / W (σ = 0.011 A / W) en una matriz de 60 canales consecutivos en la longitud de onda de entrada de 1.3 µm. Además, también se confirmó la uniformidad de la respuesta en frecuencia. fuente: iopscience Para más información sobre InP wafer , GaAs wafer , Oblea de nitruro de galio etc productos de obleas, por favor visite nuestro sitio web:semiconductorwafers.net Envíenos un correo electrónico a unangel.ye@powerwaywafer...

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