quienes somos

como el principal fabricante de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla avanzadas tecnologías de epitaxia y crecimiento de cristales, desde la primera generación de obleas de germanio, arseniuro de galio de segunda generación con crecimiento de sustratos y epitaxia en materi7
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después de más de 20 años de acumulación y desarrollo, nuestra compañía tiene una ventaja obvia en innovación tecnológica y grupo de talentos. en el futuro, necesitamos acelerar el ritmo de acción real para proporcionar a los clientes mejores productos y servicios
doctor chan -Ceo de xiamen powerway material avanzado co., ltd

nuestros productos

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

gan en silicio

sustrato de gan independiente

pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

gaas cristal

obleas de gaas (arseniuro de galio)

pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento 7

cristal sic

epitaxy sic

proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

gan expitaxy

oblea epitaxial led basada gan

La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld).

gan hemt epitaxy

gan hemt oblea epitaxial

Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro .

cristal sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

Por qué elegirnos

  • soporte de tecnología gratuito y profesional

    puede obtener nuestro servicio de tecnología gratuito desde la consulta hasta el servicio posterior basado en nuestro Más de 25 experiencias en la línea de semiconductores.

  • buen servicio de ventas

    nuestro objetivo es cumplir con todos sus requisitos, no importa cuán pequeñas sean las órdenes y cuán difíciles son las preguntas pueden ser, para mantener un crecimiento sostenido y rentable para cada cliente a través de nuestros productos calificados y un servicio satisfactorio.

  • Más de 25 años de experiencia

    con más que 25 + años experiencias en el campo de material semiconductor compuesto y en el negocio de exportación, nuestro equipo puede asegurarle que podemos entender sus requisitos y tratar su proyecto profesionalmente.

  • calidad confiable

    la calidad es nuestra primera prioridad. pam-xiamen ha sido iso9001: 2008 , posee y comparte cuatro modernas facories que pueden proporcionar una amplia gama de productos calificados para satisfacer las diferentes necesidades de nuestros clientes, y cada pedido tiene que ser manejado a través de nue7

"Hemos estado utilizando las obleas epidérmicas de powerway para algunos de nuestros trabajos. Estamos muy impresionados con la calidad de la epi".
james s.speck, departamento de materiales de la universidad de california
2018-01-25
"Queridos equipos de pam-xiamen, gracias por su opinión profesional, el problema fue resuelto, estamos muy contentos de ser su compañero"
raman k. chauhan, seren fotónica
2018-01-25
"gracias por la respuesta rápida de mis preguntas y el precio competitivo, es muy útil para nosotros, ordenaremos de nuevo pronto"
markus sieger, universidad de ulm
2018-01-25
"Las obleas de carburo de silicio han llegado hoy, ¡y estamos muy contentos con ellas! ¡Felicitaciones a su equipo de producción!"
dennis, universidad de exeter
2018-01-25

las universidades y empresas más famosas del mundo confían en nosotros

últimas noticias

Surface passivation and electrical properties of p-CdZnTe crystal

2018-12-17

The electrical properties of Au/p-CdZnTe contacts with different surface treatments, especially passivation treatment, are investigated in this paper. After the passivation, a TeO2 oxide layer with a thickness of 3.1 nm on the CdZnTe surface was identified by XPS analysis. Meanwhile, photoluminescence (PL) spectra confirmed that the passivation treatment minimized the surface trap state density and decreased the deep-level defects related to recombination of Cd vacancies. Current–voltage and capacitance–voltage characteristics were measured. It was shown that the passivation treatment could increase the barrier height of the Au/p-CdZnTe contact and decrease the leakage current. source:iopscience For more information , please visit our website: semiconductorwafers.net Send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Surface activated bonding of GaAs and SiC wafers at room temperature for improved heat dissipation in high-power semiconductor lasers

2018-12-11

Thermal management of high-power semiconductor lasers is of great importance since the output power and beam quality are affected by the temperature rise of the gain region. Thermal simulations of a vertical-external-cavity surface-emitting laser by a finite-element method showed that the solder layer between the semiconductor thin film consisting of the gain region and a heat sink has a strong influence on the thermal resistance and direct bonding is preferred to achieve effective heat dissipation. To realize thin-film semiconductor lasers directly bonded on a high-thermal-conductivity substrate, surface-activated bonding using an argon fast atom beam was applied to the bonding of gallium arsenide (GaAs) and silicon carbide (SiC) wafers. The GaAs or SiC structure was demonstrated in the wafer scale (2 in. in diameter) at room temperature. The cross-sectional transmission electron microscopy observations showed that void-free bonding interfaces were achieved. source:iopscience For more...

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High Uniform Waveguide Photodiodes Fabricated on a 2-inch InP Wafer with Low Darkcurrent and High Responsivity

2018-12-04

We have fabricated waveguide photodiodes with high uniform characteristics on a 2-inch InP wafer introducing a novel process. The 2-inch wafer fabrication procedure was carried out successfully by utilizing SiNx deposition on the back of the wafer in order to compensate wafer warp. Almost all the measured waveguide photodiodes exhibited low darkcurrent (average 419 pA, σ= 49 pA at 10 V reverse bias voltage) throughout the 2-inch wafer, and high responsivity of 0.987 A/W (σ=0.011 A/W) was obtained in a consecutive 60-channel array at the input wavelength of 1.3 µm. In addition, uniformity of frequency response was also confirmed. source:iopscience For more information , please visit our website: semiconductorwafers.net Send us email at angel.ye@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com

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Pasivación de la superficie química húmeda de las obleas de germanio mediante el tratamiento con quinhidrona-metanol para el transporte de minorías Mediciones de por vida

2018-11-26

Hemos aplicado el tratamiento con quinhidrona / metanol (Q / M) a las superficies de germanio (Ge) y hemos demostrado que este tratamiento también es eficaz para la pasivación de las superficies de Ge en las mediciones de la vida útil de los portadores minoritarios. Se ha obtenido una velocidad de recombinación superficial (S) de menos de 20 cm / s, lo que nos permite evaluar con precisión el tiempo de vida en masa de los portadores minoritarios, τb, en Ge oblea . Según nuestro conocimiento, este es el primer informe sobre tratamiento químico en húmedo aplicado con éxito a las superficies de Ge que alcanzan valores bajos de S. fuente: iopscience Para más información sobre Proveedor de oblea led epitaxial , Oblea de Insb , InAs Wafer Productos etc., por favor visite nuestro sitio web: semiconductorwafers.net Envíenos un correo electrónico atangel.ye @ powerwaywafer.comorpowerwaymaterial @ gmail.com

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¿Cómo se desarrollará el mercado de los semiconductores de potencia SiC y GaN?

2018-11-21

El desarrollo de SiC y GaN Power Semiconductor Market. El estado actual de la tecnología y el mercado de SiC, y la Tendencia de desarrollo en los próximos años. El mercado de dispositivos de SiC es prometedor. Las ventas de barrera Schottky los diodos han madurado y se espera que los envíos de MOSFET aumenten significativamente durante los próximos tres años. Según los analistas de Yole Développement, SiC es muy maduros en términos de diodos, y GaN no tiene ningún desafío para los MOSFET de SiC Con voltajes de 1.2kV y superiores. GaN puede competir con los MOSFET de SiC en los 650 V Rango, pero SiC es más maduro. Se espera que las ventas de SiC crezcan rápidamente, y SiC ganará cuota de mercado del mercado de dispositivos de silicio, y es estima que la tasa de crecimiento compuesto alcanzará el 28% en los próximos años. IHS Markit cree que la industria de SiC seguir creciendo con fuerza, impulsado por el crecimiento en aplicaciones tales como híbridos y Vehículos eléctricos, electrónic...

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Crecimiento de AlN de alta calidad sobre sustrato 6H-SiC utilizando nucleación tridimensional por epitaxia en fase de vapor de hidruro a baja presión

2018-11-14

Existe un método para controlar la nucleación y el crecimiento lateral utilizando los modos de crecimiento tridimensional (3D) y bidimensional (2D) para reducir la densidad de dislocación. Realizamos crecimiento 3D – 2D-AlN en Sustratos 6H-SiC para obtener capas de AlN de alta calidad y sin grietas por epitaxia en fase de vapor de hidruro de baja presión (LP-HVPE). Primero, realizamos el crecimiento 3D-AlN directamente en un Sustrato 6H-SiC . Con el aumento de la relación V / III, la densidad de la isla de AlN disminuyó y el tamaño de grano aumentó. En segundo lugar, las capas 3D-2D-AlN se cultivaron directamente en un Sustrato 6H-SiC . Al aumentar la relación V / III de 3D-AlN, se mejoraron las cualidades cristalinas de la capa 3D – 2D-AlN. En tercer lugar, realizamos el crecimiento de 3D – 2D-AlN en un modelo 6H con zanja. Sustrato de SiC . La densidad de grietas se redujo para relajar el estrés por huecos. También evaluamos la densidad de la dislocación de la rosca utilizando el gra...

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Caracterización interfacial y mecánica de la estructura GaSb / α amorfa (Ga, As) / GaAs unida a oblea para aplicaciones de aislante GaSb-on

2018-11-07

En este estudio, la viabilidad de utilizar tecnología de unión de obleas para fabricar un semiconductor GaSb en Sustrato de GaAs para crear potencialmente un Estructura de aislante GaSb ha sido demostrado. Una oblea de GaSb se ha unido en dos tipos de sustratos de GaAs: (1) un sustrato de GaAs semiaislante de un solo cristal regular (2) las obleas de GaAs con α-amorfo a baja temperatura pre-depositado ( Ga, como ) capas. Las microestructuras y los estudios de adhesión de la interfaz se han llevado a cabo en estos semiconductores unidos por obleas. Se ha encontrado que el GaSb-on-α- ( Ga, como ) las obleas han demostrado una mejor adherencia de la interfaz y una capacidad de unión a temperaturas más bajas. fuente: iopscience Otras noticias más sobre Oblea de silicio epitaxial , GaAs Wafer o Gaas Epi Wafer , por favor visite nuestro sitio web:semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico aangel.ye@powerwaywafer.com opowerwaymaterial@gmail.com

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Espuma de InSb policristalino inducida por irradiación de iones

2018-09-28

InSb películas con diversos espesores fueron depositados por pulverización catódica con magnetrón en sustratos SiO2 / Si y posteriormente irradiadas con 17 MeV Au + 7 iones. Los cambios estructurales y electrónicos inducidos por la irradiación de iones se investigaron mediante sincrotrón y técnicas basadas en laboratorio. La irradiación de iones de InSb transforma películas compactas (amorfas y policristalinas) en espumas sólidas de células abiertas. Las etapas iniciales de la porosidad se investigaron mediante análisis de microscopía electrónica de transmisión y revelan la estructura porosa inicia como pequeños huecos esféricos con aproximadamente 3 nm de diámetro. La evolución de la porosidad se investigó mediante el escaneo de imágenes de microscopía electrónica, que muestran que el espesor de película aumenta hasta 16 veces con el aumento de la fluencia de la irradiación. Aquí nos muestran que las películas InSb amorfos se vuelven espumas policristalinos tras la irradiación con 17 ...

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Caracterización de fotovoltaica en superficie de estructuras de láser de pozo cuántico único de GaAs / AlGaAs cultivadas mediante epitaxia de haz molecular

2018-09-20

Presentamos mediciones de fotovoltaica superficial (SPV) en un haz molecular epitaxia (MBE) cultivaron estructuras de láser de pozo cuántico (SQW). Cada capa en la heteroestructura se ha identificado mediante la medición de la señal SPV después de un proceso de grabado químico secuencial controlado. Estos resultados se han correlacionado con mediciones de difracción de rayos X y fotoluminiscencia (PL) de alta resolución. El efecto Stark confinado cuántico y el cribado de portador del campo eléctrico se han tenido en cuenta tanto teórica como experimentalmente para tener en cuenta las diferencias observadas en los resultados de SPV y PL. Se muestra que SPV se puede utilizar como una herramienta muy efectiva para la evaluación de heteroestructuras que involucran capas múltiples. Fuente: IOPscience Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web:www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico aangel.ye@powerwaywafer.com opowerwaymaterial@gmail.com...

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