2020-03-17
2020-03-09
la oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. están las obleas de grabado de baja rugosidad, baja reflectividad y alta reflectividad.
aguafuerte
el aguafuerte tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. hay baja rugosidad, baja reflectividad y alta reflectividad grabado de obleas .
nuestras ventajas de un vistazo
Equipo avanzado del crecimiento de la epitaxia y equipo de prueba 1.advanced.
2.ofrecer la más alta calidad con baja densidad de defectos y buena rugosidad de la superficie.
Apoyo del equipo de investigación 3.strong y soporte tecnológico para nuestros clientes
fz grabado obleas especificaciones
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tipo |
tipo de conducción |
orientación |
diámetro alcance (mm) |
resistividad alcance (Ω cm) |
geométrico parámetro, granulosidad, superficie metálica |
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fz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
u0026 gt; 1000 |
t≥180 ( um ) ttv≤2 ( um ) tir≤2 ( um ) el maximo la reflectividad podría ser del 90% |
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ntdfz |
norte |
u0026 lt; 100 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
30-800 |
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cfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-50 |
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gdfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-300 |
cz grabado obleas especificaciones
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tipo |
tipo de conducción |
orientación |
diámetro alcance (mm) |
resistividad alcance (Ω cm) |
geométrico parámetro, granulosidad, superficie metálica |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
t≥180 ( um ) ttv≤2 ( um ) tir≤2 ( um ) el maximo la reflectividad podría ser del 90% |
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cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
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mcz pesadamente dopado |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; &; lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio7
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor
cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración7
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7
fz obleas pulidas, principalmente para la producción de rectificador de silicio (sr), rectificador controlado de silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
El telururo de cadmio y zinc (cdznte o czt) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva. Se utiliza principalmente en el sustrato de epitaxia de película fina infrarroja, detectores de rayos X y detectores de rayos gamma, modulación óptica láser, alta células solares de rendimiento y otros campos de 7
pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec
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