casa / productos / oblea sic /

reclamo de oblea sic

productos
reclamo de oblea sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

  • detalles del producto

sic reclaim wafer & tratamiento


pam-xiamen puede ofrecer lo siguiente sic reclaim wafer servicios.

oblea de reclamo sic:

pam-xiamen es capaz a través de los procesos de reclamación de propiedad para ofrecer una sic reclaim wafer servicios a fabricantes de dispositivos LED, rf o de alimentación. Para eliminar capas de epi, epi gan o dispositivos, y luego pulir la superficie, hasta un estado listo para usar, que nuestros clientes puedan volver a utilizar para reducir el costo. Incluso podemos garantice la rugosidad de la superficie u0026 lt; 0.3nm según lo requiera el cliente. Cada oblea se puede cortar o grabar para eliminar patrones, arañazos y otros defectos. el resultado es una oblea limpia y de alta calidad que está lista para pulir y limpiar. Al finalizar el proceso de recuperación, para verificar que las obleas terminadas cumplan completamente con las normas y especificaciones del cliente, haremos una inspección final de calidad antes del empaque. Colocamos las obleas recuperadas en contenedores. los contenedores son de doble bolsa y etiquetados. como último paso, proporcionamos un certificado de conformidad y / o certificado de análisis, según sea necesario, para verificar la calidad del producto.


a continuación se muestra una imagen afm después de cmp como un ejemplo:

preparación de superficie sic : pam-xiamen ha desarrollado su larga experiencia en la limpieza de obleas de carburo de silicio, que es capaz de proporcionar una contaminación limpia y metálica baja en nuevos sustratos sic.

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.

Productos relacionados

cristal sic

epitaxy sic

proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transisto7

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

oblea sic

aplicación sic

debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.

czt

detector czt

pam-xiamen proporciona detectores basados ​​en czt mediante tecnología de detector de estado sólido para rayos X o rayos gamma, que tiene una mejor resolución de energía en comparación con el detector basado en cristales de centelleo, incluyendo el detector czt planar, el detector czt pixilated, czt co-planar gri

gaas cristal

gaas epiwafer

estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados ​​en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.

nanolitografía

nanofabricación

pam-xiamen ofrece una placa fotorresistente con fotorresistencia podemos ofrecer nanolitografía (fotolitografía): preparación de la superficie, aplicación fotorresistente, cocción suave, alineación, exposición, desarrollo, horneado duro, desarrollo de inspección, grabado, eliminación de fotoresist (tira), inspección final.

oblea de silicio

oblea pulida

fz obleas pulidas, principalmente para la producción de rectificador de silicio (sr), rectificador controlado de silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)

sustrato inser

oblea insb

xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.