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estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados ​​en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.


  • detalles del producto

gaas epiwafer


estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados ​​en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información.

tenemos números de la producción en gran escala de la línea de producción de equipo epitaxial gen2000, gen200 veeco de los Estados Unidos, conjunto completo de xrd; pl-mapping; surfacescan y otros equipos de prueba y análisis de clase mundial. la compañía cuenta con más de 12,000 metros cuadrados de planta de soporte, que incluye semiconductores súper limpios de clase mundial y una investigación y desarrollo relacionados de la generación más joven de instalaciones de laboratorios limpios


especificación para todos los productos nuevos y destacados de mbe iii-v semiconductor compuesto epi wafer:


material de substrato

capacidad material

solicitud

Gaas

gaas de baja temperatura

thz

Gaas

gaas / gaalas / gaas / gaas

diodo schottky

En p

ingaas

pin detector

En p

inp / inp / ingaasp / inp / ingaas

láser

Gaas

gaas / alas / gaas

u0026 emsp;

En p

inp / inasp / ingaas / inasp

u0026 emsp;

Gaas

gaas / ingaasn / algaas

u0026 emsp;

/ gaas / algas

En p

inp / ingaas / inp

fotodetectores

En p

inp / ingaas / inp

u0026 emsp;

En p

inp / ingaas

u0026 emsp;

Gaas

gaas / ingap / gaas / alinp

célula solar

/ ingap / alinp / ingap / alinp

Gaas

gaas / gainp / gainas / gaas / algas / galnp / galnas

célula solar

/ galnp / gaas / algaas / allnp / galnp / allnp / galnas

En p

inp / gainp

u0026 emsp;

Gaas

gaas / alinp

u0026 emsp;

Gaas

gaas / algas / galnp / algas / gaas

Láser 703nm

Gaas

gaas / algas / gaas

u0026 emsp;

Gaas

gaas / algas / gaas / algas / gaas

hemt

Gaas

gaas / alas / gaas / alas / gaas

mhemt

Gaas

gaas / dbr / algainp / mqw / algainp / gap

oblea led, iluminación de estado sólido

Gaas

gaas / galnp / algainp / gainp

635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,

/ gaasp / gaas / substrato de gaas

Láser de 950 nm, 1300 nm y 1550 nm

gas

alsb / gainsb / inas

ir detector, pin, detección, ir cemera

silicio

inp o gaas en silicio

alta velocidad ic / microprocesadores

insub

berilio dopado insb

u0026 emsp;

/ no procesado inserciones / dopado insb /



para una especificación más detallada, revise lo siguiente:


capa de lt-gaas epi en sustrato de gaas


obleas epitaxiales del diodo Schottky del gaas


ingaas / inp epi oblea para pin


ingaasp / ingaas en sustratos inp

gaas / alas wafer

ingaasn epitaxialmente en gaas o inp wafers


estructura para fotodetectores ingaas

inp / ingaas / inp epi oblea


oblea de estructura ingaas

algap / gaas epi oblea para célula solar

celdas solares de triple unión

epitaxia gaas

ganancia / inp epi oblea

alinp / gaas epi oblea


estructura de la capa del láser 703nm

Obleas láser 808nm

Obleas láser 780nm

gaas pin epi oblea

gaas / algaas / gaas epi oblea

oblea epitaxial basada en gaas para led y ld, ver a continuación desc.

algainp epi oblea

oblea de color amarillo-verde algainp / gaas led: 565-575nm


gaas hemt epi oblea

gaas phemt epi oblea (gaas, algaas, ingaas), ver a continuación desc.

gaas mhemt epi oblea (mhemt: transistor metamórfico de alta movilidad de electrones)

gaas hbt epi wafer (gaas hbt son transistores de unión bipolar, que están compuestos por al menos dos semiconductores diferentes, que es por tecnología basada en gaas.) transistor de efecto de campo de metal semiconductor (mesfet)


transistor de efecto de campo de heterounión (hfet)

transistor de alta movilidad de electrones (hemt)

transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (phemt)

diodo de túnel resonante (rtd)

diodo pin

dispositivos de efecto hall

diodo de capacitancia variable (vcd)

ahora enumeramos algunas especificaciones:


gaas hemt epi oble, tamaño: 2 ~ 6 pulgadas

ít

presupuesto

observación

parámetro

Alabama  composición / en composición / resistencia de la lámina

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala  movilidad / concentración de 2deg

tecnología de medición

radiografía  difracción / corriente de Foucault

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala sin contacto

válvula típica

struture  dependiente

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

5000 ~ 6500cm 2 / v  · S / 0.5 ~ 1.0x 10 12 cm -2

estándar  tolerancia

± 0.01 / ± 3% / ninguno

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología


gaas (arseniuro de galio) phemt epi oblea , tamaño: 2 ~ 6 pulgadas

ít

presupuesto

observación

parámetro

Alabama  composición / en composición / resistencia de la lámina

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala  movilidad / concentración de 2deg

tecnología de medición

radiografía  difracción / corriente de Foucault

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala sin contacto

válvula típica

struture  dependiente

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

5000 ~ 6800 cm 2 /v.s/2.0~3.4x10 12 cm -2

estándar  tolaerance

± 0.01 / ± 3% ninguno

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

observación: gaas phemt: comparado con gaas hemt, gaas phemt también incorpora inxga1-xas, donde inxas ​​está limitado a x u0026 lt; 0.3 para dispositivos basados ​​en gaas. estructuras crecidas con la misma constante reticular que el dobladillo, pero las diferencias entre bandas diferentes simplemente se denominan dobladillos coincidentes con celosía.


gaas mhemt epi oble, tamaño: 2 ~ 6 pulgadas

ít

presupuesto

observación

parámetro

en  composición / resistencia de la hoja

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala  movilidad / concentración de 2deg

tecnología de medición

radiografía  difracción / corriente de Foucault

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

sala sin contacto

válvula típica

struture  dependiente

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología

8000 ~ 10000cm 2 / v  · S / 2.0 ~ 3.6x 10 12 cm -2

estándar  tolerancia

± 3% / ninguno

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología


inp hemt epi oble, tamaño: 2 ~ 4 pulgadas

ít

presupuesto

observación

parámetro

en  composición / resistencia de la hoja / movilidad del pasillo

por favor contactar  nuestro departamento de tecnología


observación: el gaas (arseniuro de galio) es un material semiconductor compuesto, una mezcla de dos elementos, galio (ga) y arsénico (como). los usos del arseniuro de galio son variados e incluyen el uso en led / ld, transistores de efecto de campo (fets) y circuitos integrados (ics)


aplicaciones del dispositivo

interruptor rf

potencia y amplificadores de bajo ruido

sensor de pasillo

modulador óptico

inalámbrico: teléfono celular o estaciones base

radar automotriz

mmic, rfic

comunicaciones de fibra óptica


gaas epi wafer para led / ir serie:


1. descripción general:

1.1 método de crecimiento: mocvd

1.2 gaas epi oble para redes inalámbricas

1.3 gaas epi wafer para led / ir y ld / pd


2.epi especificaciones de la oblea:

2.1 tamaño de la oblea: 2 "de diámetro

2.2epi estructura de la oblea (de arriba a abajo):

p + gaas

p-gap

p-algainp

mqw-algainp

n-algainp

dbr n-algaas / alas

buffer

substrato de gaas


3.cip sepcification (base en 9mil * 9mil chips)


3.1 parámetro

tamaño del chip 9mil * 9mil

espesor 190 ± 10um

diámetro del electrodo 90um ± 5um


3.2 caracteres elctric ópticos (ir = 20ma, 22 ℃)

longitud de onda 620 ~ 625nm

voltaje de avance 1.9 ~ 2.2v

voltaje inverso ≥10v

corriente inversa 0-1ua


3.3 caracteres de intensidad de luz (ir = 20ma, 22 ℃)

iv (mcd) 80-140


3.4 epi wafer avelength

ít

unidad

rojo

amarillo

amarillo verde

descripción

longitud de onda (λ re )

Nuevo Méjico

585,615,620 ~  630

587 ~ 592

568 ~ 573

yo F = 20ma


métodos de crecimiento: mocvd, mbe

epitaxia = crecimiento de la película con una relación cristalográfica entre la película y el sustrato homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = película y sustrato son del mismo material heteroepitaxy = película y sustrato son diferentes materialespor favor, más información de los métodos de crecimiento, haga clic en el siguiente: http: // www .powerwaywafer.com / wafer-technology.html

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