casa / productos / semiconductor compuesto /

oblea insb

productos
oblea insb oblea insb

oblea insb

xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

  • detalles del producto

xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).


el antimonide del indio (insb) es un compuesto cristalino hecho de los elementos indio (in) y antimonio (sb). es un material semiconductor de espacio angosto del grupo iii-v utilizado en los detectores de infrarrojos, incluidas las cámaras de imagen térmica, los sistemas flir, los sistemas de guía de misiles de orientación infrarroja y la astronomía infrarroja. los detectores de antimoniuro de indio son sensibles entre 1-5 μm de longitudes de onda. el antimoniuro de indio era un detector muy común en los viejos sistemas de imágenes térmicas escaneadas mecánicamente con un solo detector. otra aplicación es como una fuente de radiación de terahercios ya que es un fuerte emisor de foto-dember.


especificación de obleas
ít presupuesto
diámetro de la oblea 2 "50.5 ± 0.5mm
3 "76.2 ± 0.4mm
4 "1000.0 ± 0.5mm
orientación cristal 2 "(111) aorb ± 0.1 °
3 "(111) aorb ± 0.1 °
4 "(111) aorb ± 0.1 °
espesor 2 "625 ± 25um
3 "800or900 ± 25um
4 "1000 ± 25um
longitud plana primaria 2 "16 ± 2 mm
3 "22 ± 2 mm
4 "32.5 ± 2.5 mm
longitud plana secundaria 2 "8 ± 1 mm
3 "11 ± 1 mm
4 "18 ± 1 mm
acabado de la superficie p / e, p / p
paquete epi-ready, contenedor de oblea individual o cassette cf


especificación eléctrica y de dopaje
tipo de conducción tipo n tipo n tipo n tipo n p-type
dopante sin dopar telurio bajo telurio alto telurio Genmanium
e.d.p cm -2 2 "3" 4 " 50 2 " 100
movilidad cm² v -1 s -1 4 * 105 2.5 * 10 4 2.5 * 105 no especificado 8000-4000
concentración del transportador cm -3 5 * 10 13 -3 * 10 14 ( 1-7 ) * 10 17 4 * 10 14 -2 * 10 15 1 * 10 18 5 * 10 14 -3 * 10 15

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.
tema : oblea insb

Productos relacionados

substrato inp

oblea inp

xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).

inas sustrato

inas wafer

xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

sustrato de brecha

oblea de brecha

xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que se cultivan mediante lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

sustrato de gas

oblea de gas

xiamen powerway ofrece obleas de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)

láser azul

plantillas gan

Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7

cristal sic

reclamo de oblea sic

pam-xiamen puede ofrecer los siguientes servicios de reclamo sic reclaim.

oblea de silicio

oblea de prueba oblea oblea de oblea

pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor

cristal sic

sustrato sic

pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabr7

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.