Se investiga la unión de oblea de GaAs utilizando un tratamiento de sulfuro de amonio (NH4)2S para varias estructuras. Se estudia el efecto del ángulo de corte de la oblea en la conductividad eléctrica de los dispositivos de células solares III-V que utilizan estructuras unidas por oblea n-GaAs/n-GaAs. Se utiliza difracción de rayos X de alta resolución para confirmar la mala orientación de las muestras unidas. Además, comparamos las propiedades eléctricas de las uniones pn crecidas epitaxialmente en GaAs con las estructuras unidas por obleas n-GaAs/p-GaAs. Microscopía electrónica de transmisión de alta resolución (HRTEM) y microscopía electrónica de transmisión de barrido(STEM) se utilizan para comparar la morfología de la interfaz en el rango de desorientaciones relativas después de un RTP de 600 {grados}C. La proporción de regiones cristalinas bien adheridas a inclusiones de óxido amorfo es constante en todas las muestras adheridas, lo que indica que el grado de desorientación no afecta el nivel de recristalización de la interfaz a altas temperaturas.

Fuente:IOPscience

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