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pam-xiamen ofrece fotomáscaras


una máscara fotográfica es una fina capa de material de enmascaramiento sostenida por un sustrato más grueso, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diversos grados y se puede modelar con un diseño personalizado. el patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotolitografía, que es el proceso fundamental utilizado para construir casi todos los dispositivos digitales de hoy en día.

  • detalles del producto

máscara de foto



pam-xiamen ofrece fotomáscaras


un máscara de foto es una fina capa de material de enmascaramiento soportado por un sustrato más grueso, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diversos grados y puede modelarse con un diseño personalizado. el patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotolitografía, que es el proceso fundamental utilizado para construir casi todos los dispositivos digitales de hoy en día.


que es una fotomáscara


una fotomáscara es una placa opaca con agujeros o transparencias que permiten que la luz brille en un patrón definido. se usan comúnmente en fotolitografía. litográfico fotomáscaras son típicamente piezas en bruto de sílice fundidas transparentes cubiertas con un patrón definido con una película que absorbe metal cromado. fotomáscaras se utilizan a longitudes de onda de 365 nm, 248 nm y 193 nm. las fotomáscaras también se han desarrollado para otras formas de radiación tales como 157 nm, 13.5 nm (euv), rayos X, electrones e iones; pero estos requieren materiales completamente nuevos para el sustrato y la película patrón. un conjunto de fotomáscaras, cada una de las cuales define una capa de patrón en la fabricación de circuitos integrados, se alimenta a un dispositivo de paso o escáner de fotolitografía y se selecciona individualmente para la exposición. en técnicas de patrón doble, una fotomáscara correspondería a un subconjunto del patrón de capa. en la fotolitografía para la producción en masa de dispositivos de circuitos integrados, el término más correcto suele ser fotorretícula o simplemente retícula. en el caso de una fotomáscara, existe una correspondencia uno a uno entre el patrón de máscara y el patrón de oblea. este fue el estándar para los alineadores de máscara 1: 1 que fueron reemplazados por steppers y escáneres con óptica de reducción. como se usa en los pasos a paso y los escáneres, la retícula comúnmente contiene solo una capa del chip. (sin embargo, algunas fabricaciones de fotolitografía utilizan retículos con más de una capa modelada en la misma máscara). el patrón se proyecta y se reduce cuatro o cinco veces sobre la superficie de la oblea. para lograr una cobertura completa de la oblea, la oblea se "escalona" repetidamente desde la posición a la posición debajo de la columna óptica hasta que se logra la exposición total. las características de 150 nm o menos en tamaño generalmente requieren un cambio de fase para mejorar la calidad de la imagen a valores aceptables. esto se puede lograr de muchas maneras. los dos métodos más comunes son usar una película atenuada de fondo con desplazamiento de fase en la máscara para aumentar el contraste de los picos pequeños de intensidad, o grabar el cuarzo expuesto para que el borde entre las áreas grabadas y sin grabar se pueda usar casi cero intensidad. en el segundo caso, los bordes no deseados deberían ser recortados con otra exposición. el primer método es el cambio de fase atenuado, y a menudo se considera una mejora débil, que requiere una iluminación especial para la mayor mejora, mientras que el último método se conoce como cambio de fase de apertura alterna, y es la técnica de mejora fuerte más popular. a medida que las funciones de los semiconductores de vanguardia se reducen, las características de la fotomáscara que son 4 veces más grandes también deben reducirse inevitablemente. esto podría plantear problemas, ya que la película absorbente deberá ser más delgada y, por lo tanto, menos opaca. un estudio reciente de imec ha encontrado que los absorbedores más delgados degradan el contraste de la imagen y, por lo tanto, contribuyen a la rugosidad de borde de línea, utilizando herramientas de fotolitografía de última generación. Una posibilidad es eliminar por completo los absorbentes y usar máscaras "sin cromo", confiando únicamente en el cambio de fase para obtener imágenes. la aparición de la litografía de inmersión tiene un fuerte impacto en los requisitos de la fotomáscara. la máscara atenuada atenuada de desplazamiento de fase es más sensible a los ángulos de incidencia más altos aplicados en la litografía "hiperna", debido a la trayectoria óptica más larga a través de la película modelada.


materiales de máscara -diferencia entre cuarzo y vidrio de cal sodada:


los tipos más comunes de vidrio para fabricar máscaras son cuarzo y cal sodada. el cuarzo es más caro, pero tiene la ventaja de un coeficiente de expansión térmica mucho menor (lo que significa que se expande menos si la máscara se calienta durante el uso) y también es transparente a longitudes de onda ultravioleta más profundas (duv), donde el vidrio de cal sodada es opaco. se necesita usar cuarzo donde la longitud de onda que se usa para exponer la máscara es menor o igual a 365 nm (i-line). Una máscara de fotolitografía es una placa o película opaca con áreas transparentes que permiten que la luz brille en un patrón definido. se usan comúnmente en procesos de fotolitografía, pero también se utilizan en muchas otras aplicaciones en una amplia gama de industrias y tecnologías. existe un tipo diferente de máscara para diferentes aplicaciones, a saber, en función de la resolución necesaria.


para obtener más detalles sobre el producto, comuníquese con nosotros a luna@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com.


1x máscara maestra


1x dimensiones de máscara maestra y materiales de sustrato

producto

dimensiones

substrato  materiales

1x maestro

4 "x4" x0.060 "  o 0.090 "

cuarzo y refresco  Lima

5 "x5" x0.090 "

cuarzo y refresco  Lima

6 "x6" x0.120 "  o 0.250 "

cuarzo y refresco  Lima

7 "x7" x0.120 "  o 0.150 "

cuarzo y refresco  Lima

7.25 "redondo x  0.150 "

cuarzo

9 "x9" x0.120 "o  0.190 "

cuarzo y refresco  Lima


especificaciones comunes para 1x máscaras maestras (material de cuarzo)

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

2.0 um

≤0.25 um

≤0.25 um

≤0.25 um

≥2.0 um

4.0 um

≤0.30 um

≤0.30 um

≤0.30 um

≥3.5 um


especificación común para máscaras maestras 1x (material de cal de soda)

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

≤4 um

≤0.25 um

----

≤0.25 um

≥3.0 um

u003e 4 um

≤0.30 um

----

≤0.45 um

≥5.0 um


máscara ut1x


ut1x dimensiones de máscara y materiales de sustrato

producto

dimensiones

substrato  material

ut1x

3 "x5" x0.090 "

cuarzo

5 "x5" x0.090 "

cuarzo

6 "x6" x0.120 "o  0.250 "

cuarzo


especificaciones comunes para máscaras ut1x

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

1.5 um

≤0.15 um

≤0.15 um

≤0.15 um

≥0.50 um

3.0 um

≤0.20 um

≤0.20 um

≤0.20 um

≥0.60 um

4.0 um

≤0.25 um

≤0.25 um

≤0.20 um

≥0.75 um


máscaras binarias estándar


dimensiones estándar de máscara binaria y materiales de sustrato

producto

dimensiones

substrato  materiales

2x

6 "x 6" x0.250 "

cuarzo

2.5x

4x

5x

5 "x5" x0.090 "

cuarzo

6 "x6" x0.250 "

cuarzo

especificaciones comunes para máscaras binarias estándar

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

2.0 um

≤0.10 um

≤0.15 um

≤0.10 um

≥0.50 um

3.0 um

≤0.15 um

≤0.15 um

≤0.15 um

≥0.75 um

4.0 um

≤0.20 um

≤0.20 um

≤0.20 um

≥1.00 um


Máscaras de área media


dimensiones y materiales de máscara de área media

producto

dimensiones

substrato  materiales

1x

9 "x9" 0.120 "

soda de cuarzo  cal (disponible tanto en cromo como en absorbedores de óxido de hierro)

9 "x9" 0.190 "

cuarzo


especificaciones comunes para máscaras de área media (material de cuarzo)

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

0.50 um

≤0.20 um

----

≤0.15 um

≥1.50 um


especificaciones comunes para máscaras de área media (material de cal sodada)

tamaño del cd

discos compactos  medio-a-nominal

cd uniformidad

registro

tamaño del defecto

10 um

≤4.0 um

----

≤4.0 um

≥10 um

4 um

≤2.0 um

----

≤1.0 um

≥5 um

2.5 um

≤0.5 um

----

≤0.75 um

≥3 um

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