Utilizando la deposición de vapores químicos mejorados por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) a 13.56 MHz, se fabrica una capa de semilla en la etapa de crecimiento inicial del microcristalino hidrogenado. germanio de silicona (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. Los efectos de los procesos de siembra en el crecimiento de μc-Si1 − xGex: H i-layers y el rendimiento de μc-Si1 − xGex: H p — i — n células solares de unión única son investigados Al aplicar este método de siembra, la célula solar μc-Si1-xGex: H muestra una mejora significativa en la densidad de corriente de cortocircuito (Jsc) y el factor de relleno (FF) con un rendimiento aceptable de respuesta azul como una célula solar μc-Si: H incluso cuando el contenido de Ge x aumenta hasta 0.3. Finalmente, se logra una eficiencia mejorada de 7.05% para la celda solar μc-Si0.7Ge0.3: H.

fuente: iopscience

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