Hemos mejorado la eficiencia de las antenas fotoconductoras (PCA) utilizando GaAs cultivado a baja temperatura (LT-GaAs). Descubrimos que las propiedades físicas de las capas fotoconductoras de LT-GaAs afectan en gran medida las características de generación y detección de ondas de terahercios (THz). En la generación de THz, la alta movilidad de los portadores fotoexcitados y la presencia de unos pocos grupos de As en los LT-GaA son dos factores importantes. En detección, vida útil corta del portador y ausencia de una estructura policristalina en el LT-GaAsson factores significativos. Al optimizar estas propiedades físicas, mejoramos el rango dinámico total de generación y detección de THz en 15 dB con respecto al obtenido por los PCA convencionales disponibles en el mercado. Además, reemplazamos el sustrato semiaislante de GaAs (SI-GaAs) con un sustrato de Si, que tiene una baja absorción en la región de THz. Propusimos una nueva idea de incluir una capa amortiguadora de Al0.5Ga0.5As altamente aislante en el sustrato de Si. Finalmente, confirmamos la viabilidad de fabricar PCA utilizando sustratos de Si.

Fuente:IOPscience

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