pam-xiamen produce lingotes de cristal individuales de antimonio de galio (gasb) de alta calidad. también redondeamos, cortamos, doblamos y pulimos obleas de gas y podemos suministrar una calidad de superficie preparada para epi. gasb crystal es un compuesto formado por 6n elemento ga y sb puro y se cultiva mediante el método de czchralski (lec) encapsulado en líquido con epd \u0026 lt; 1000 cm -3...
investigamos los niveles de energía de transición de los defectos de la vacante en el nitruro de galio por medio de un enfoque de la teoría de la función de densidad híbrida (dft). mostramos que, en contraste con las predicciones de un estudio reciente sobre el nivel de dft puramente local, la inclusión de intercambio filtrado estabiliza el estado de carga triplemente positiva de la vacancia de ni...
www.semiconductorwafers.net La tecnología de unión directa de obleas es capaz de integrar dos obleas lisas y, por lo tanto, se puede usar en la fabricación de celdas solares de múltiples funciones iii-v con desajuste de celosía. para interconectar monolíticamente entre las subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, la heterounión gaas / inp unida debe ser una unión óhmica altamente conductora o u...
los láseres de diodo directo tienen algunas de las características más atractivas de cualquier láser. son muy eficientes, compactos, de longitud de onda versátiles, de bajo costo y altamente confiables. sin embargo, la utilización completa de los láseres de diodo directo aún no se ha realizado. la mala calidad de diodo láser haz en sí, afectan directamente a sus rangos de aplicación, con el fin de...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
el proceso para disminuir la densidad de dislocación en fe-dopado de 3 pulgadas obleas inp es descrito. el proceso de crecimiento de cristales es un czochralsky (lec) encapsulado en líquido convencional, pero se han añadido protectores térmicos para disminuir el gradiente térmico en el cristal en crecimiento. la forma de estos escudos se ha optimizado con la ayuda de simulaciones numéricas de tran...
inas segmentos se cultivaron en la parte superior de las islas gaas, inicialmente creado por droplet epitaxy en sustrato de silicio. exploramos sistemáticamente el espacio de parámetros de crecimiento para la deposición de inas, identificando las condiciones para el crecimiento selectivo en Gaas y para el crecimiento puramente axial. los segmentos axiales inas se formaron con sus paredes laterales...
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
