informamos sobre la generación de microdescargas en dispositivos compuestos de microcristalinadiamante. las descargas se generaron en estructuras de dispositivos con geometrías de descarga de cátodo microhollow. una estructura consistía en una oblea aislante de diamante recubierta con capas de diamante dopado con boro en ambos lados. una segunda estructura consistía en una oblea de diamante aislan...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
Las características del láser dependientes de la temperatura de la unión de un diodo láser GaInAsP (LD) de 1.5 a µm crecieron en un enlace directamente Sustrato inP o Sustrato de si se obtuvieron con éxito. Hemos fabricado el En p sustrato o sustrato de Si que utiliza una técnica de unión de oblea hidrófila directa a temperaturas de unión de 350, 400 y 450 ° C, y GaInAsP depositado o Capas de dobl...
Hemos mejorado la eficiencia de las antenas fotoconductoras (PCA) utilizando GaAs cultivado a baja temperatura (LT-GaAs). Descubrimos que las propiedades físicas de las capas fotoconductoras de LT-GaAs afectan en gran medida las características de generación y detección de ondas de terahercios (THz). En la generación de THz, la alta movilidad de los portadores fotoexcitados y la presencia de unos ...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...