en la última década, los compuestos iii-n han atraído mucho interés debido a sus aplicaciones en optoelectrónica azul, violeta y ultravioleta. la mayoría de los dispositivos e investigaciones usan zafiro como sustrato para la epitaxia de nitruros. sin embargo, estas epi-estructuras contienen una densidad de dislocación muy alta inducida por el 16% de disparidad de celosía entre gan y zafiro en nue...
se ha evaluado una capa de cobertura de grafito para proteger la superficie de obleas epitaxiales 4h-sic con diseño y selectivamente implantadas durante el recocido posterior a la implantación. La fotoprotección az-5214e se hiló y se coció al vacío a temperaturas que oscilaban entre 750 y 850 ° C para formar un revestimiento continuo en superficies planas y planas grabadas en mesa con característi...
en este trabajo, se revisan los desarrollos de producir obleas no polares (es decir, m-plano y plano) y semipolar (es decir, plano (20.1)) por método amonotermal. el método de crecimiento y los resultados de pulido se describen. logramos producir obleas no semicubulares de 26 mm × 26 mm. estas obleas poseen propiedades estructurales y ópticas sobresalientes, con densidad de dislocación por roscado...
Se fabricaron matrices en escala de obleas de pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscos y nanorings bien ordenados en toda el área (10 mm × 10 mm) del electrodo inferior del srruo3 en un sustrato monocristalino srtio3 utilizando la litografía de interferencia láser. (lil) proceso combinado con deposición de láser pulsado. la forma y el tamaño de las nanoestructuras se controlaron por la cantidad de pzt deposi...
investigamos los niveles de energía de transición de los defectos de la vacante en el nitruro de galio por medio de un enfoque de la teoría de la función de densidad híbrida (dft). mostramos que, en contraste con las predicciones de un estudio reciente sobre el nivel de dft puramente local, la inclusión de intercambio filtrado estabiliza el estado de carga triplemente positiva de la vacancia de ni...
un algan micromecanizado / un transistor de alta movilidad de electrones ( hemt ) sobre un sustrato si con capas de disipación de calor de carbono / titanio (dlc / ti) como diamante, se investigó. superior conductividad térmica y coeficiente de expansión térmica similar a la de gan habilitó dlc / ti para disipar de manera eficiente el calor del borde de potencia del gan a través del sustrato si a ...
la condición de crecimiento de delgadamente pesadamente dopada gan capa de cobertura y su efecto sobre la formación de contacto óhmico de p-tipo gan fueron investigados. se confirma que el exceso de dopaje puede mejorar efectivamente el contacto ni / au a p- gan después del recocido a 550 ° c. cuando la relación del índice de flujo entre las fuentes de gas mg y ga es 6.4% y el ancho de la capa es ...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
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