Para realizar carburo de silicio de alto rendimiento ( Sic ) dispositivos de potencia, contactos óhmicos de baja resistencia a p-type SiC deben ser desarrollados. Para reducir la resistencia de contacto óhmico, se necesita reducir la altura de la barrera en las interfaces de metal / SiC o aumentar la concentración de dopaje en los sustratos de SiC. Dado que la reducción de la altura de la barrera ...
Examen topográfico y químico de rayos X de Si: Ge cristales solos conteniendo 1.2 en% y 3.0 en% Ge, junto con mediciones precisas de parámetros de red, se realizó. Los contrastes de difracción en forma de "cuasi círculos" concéntricos (estrías), probablemente debido a la distribución no uniforme de los átomos de Ge, se observaron en las topografías de proyección. Los patrones de grabado ...
Presentamos un método sin contacto para la determinación del tiempo de respuesta térmica de los sensores de temperatura integrados en las obleas. En este método, una lámpara de flash ilumina un punto en la oblea en pulsos periódicos; el punto está en el lado opuesto del sensor bajo prueba. La constante de tiempo térmica del sensor se obtiene luego de la medición de su respuesta temporal, junto con...
Utilizando la deposición de vapores químicos mejorados por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) a 13.56 MHz, se fabrica una capa de semilla en la etapa de crecimiento inicial del microcristalino hidrogenado. germanio de silicona (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. Los efectos de los procesos de siembra en el crecimiento de μc-Si1 − xGex: H i-layers y el rendimiento de μc-Si1 − xGex: H p — i — n célula...
Hemos mejorado la eficiencia de las antenas fotoconductoras (PCA) utilizando GaAs cultivado a baja temperatura (LT-GaAs). Descubrimos que las propiedades físicas de las capas fotoconductoras de LT-GaAs afectan en gran medida las características de generación y detección de ondas de terahercios (THz). En la generación de THz, la alta movilidad de los portadores fotoexcitados y la presencia de unos ...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...
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