se ha evaluado una capa de cobertura de grafito para proteger la superficie de obleas epitaxiales 4h-sic con diseño y selectivamente implantadas durante el recocido posterior a la implantación. La fotoprotección az-5214e se hiló y se coció al vacío a temperaturas que oscilaban entre 750 y 850 ° C para formar un revestimiento continuo en superficies planas y planas grabadas en mesa con característi...
pam-xiamen produce lingotes de cristal individuales de antimonio de galio (gasb) de alta calidad. también redondeamos, cortamos, doblamos y pulimos obleas de gas y podemos suministrar una calidad de superficie preparada para epi. gasb crystal es un compuesto formado por 6n elemento ga y sb puro y se cultiva mediante el método de czchralski (lec) encapsulado en líquido con epd \u0026 lt; 1000 cm -3...
Se fabricaron matrices en escala de obleas de pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscos y nanorings bien ordenados en toda el área (10 mm × 10 mm) del electrodo inferior del srruo3 en un sustrato monocristalino srtio3 utilizando la litografía de interferencia láser. (lil) proceso combinado con deposición de láser pulsado. la forma y el tamaño de las nanoestructuras se controlaron por la cantidad de pzt deposi...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
microestructuras de sub-monocapa tensil a alta tensión en gas se han cultivado mediante epitaxia de haz molecular y se han estudiado mediante microscopía de túnel de barrido de ultra alto vacío. cuatro tasas de cobertura diferentes de ge nanoestructuras en gasb se logran e investigan. se encuentra que el crecimiento de ge en gasb sigue el modo de crecimiento 2d. la red cristalina de la sub-monocap...
Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativ...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
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