presentamos un novedoso proceso para integrar germanio con obleas de silicio sobre aislante (soi). el germanio se implanta en soi, que luego se oxida, atrapando el germanio entre las dos capas de óxido (el óxido crecido y el óxido enterrado). con un cuidadoso control de la implantación y las condiciones de oxidación, este proceso crea una capa delgada (experimentos actuales indican hasta 20-30 nm)...
microestructuras de sub-monocapa tensil a alta tensión en gas se han cultivado mediante epitaxia de haz molecular y se han estudiado mediante microscopía de túnel de barrido de ultra alto vacío. cuatro tasas de cobertura diferentes de ge nanoestructuras en gasb se logran e investigan. se encuentra que el crecimiento de ge en gasb sigue el modo de crecimiento 2d. la red cristalina de la sub-monocap...
Examen topográfico y químico de rayos X de Si: Ge cristales solos conteniendo 1.2 en% y 3.0 en% Ge, junto con mediciones precisas de parámetros de red, se realizó. Los contrastes de difracción en forma de "cuasi círculos" concéntricos (estrías), probablemente debido a la distribución no uniforme de los átomos de Ge, se observaron en las topografías de proyección. Los patrones de grabado ...
Utilizando la deposición de vapores químicos mejorados por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) a 13.56 MHz, se fabrica una capa de semilla en la etapa de crecimiento inicial del microcristalino hidrogenado. germanio de silicona (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. Los efectos de los procesos de siembra en el crecimiento de μc-Si1 − xGex: H i-layers y el rendimiento de μc-Si1 − xGex: H p — i — n célula...
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