microestructuras de sub-monocapa tensil a alta tensión en gas se han cultivado mediante epitaxia de haz molecular y se han estudiado mediante microscopía de túnel de barrido de ultra alto vacío. cuatro tasas de cobertura diferentes de ge nanoestructuras en gasb se logran e investigan. se encuentra que el crecimiento de ge en gasb sigue el modo de crecimiento 2d. la red cristalina de la sub-monocapa ge las nanoestructuras son coherentes con las del gasb, lo que infiere una tensión de tracción tan grande como 7.74% en las nanoestructuras.
fuente: iopscience
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