pam-xiamen produce lingotes de cristal individuales de antimonio de galio (gasb) de alta calidad. también redondeamos, cortamos, doblamos y pulimos obleas de gas y podemos suministrar una calidad de superficie preparada para epi. gasb crystal es un compuesto formado por 6n elemento ga y sb puro y se cultiva mediante el método de czchralski (lec) encapsulado en líquido con epd \u0026 lt; 1000 cm -3...
en este trabajo, se revisan los desarrollos de producir obleas no polares (es decir, m-plano y plano) y semipolar (es decir, plano (20.1)) por método amonotermal. el método de crecimiento y los resultados de pulido se describen. logramos producir obleas no semicubulares de 26 mm × 26 mm. estas obleas poseen propiedades estructurales y ópticas sobresalientes, con densidad de dislocación por roscado...
www.semiconductorwafers.net La tecnología de unión directa de obleas es capaz de integrar dos obleas lisas y, por lo tanto, se puede usar en la fabricación de celdas solares de múltiples funciones iii-v con desajuste de celosía. para interconectar monolíticamente entre las subcélulas gainp / gaas e ingaasp / ingaas, la heterounión gaas / inp unida debe ser una unión óhmica altamente conductora o u...
el proceso para disminuir la densidad de dislocación en fe-dopado de 3 pulgadas obleas inp es descrito. el proceso de crecimiento de cristales es un czochralsky (lec) encapsulado en líquido convencional, pero se han añadido protectores térmicos para disminuir el gradiente térmico en el cristal en crecimiento. la forma de estos escudos se ha optimizado con la ayuda de simulaciones numéricas de tran...
inas segmentos se cultivaron en la parte superior de las islas gaas, inicialmente creado por droplet epitaxy en sustrato de silicio. exploramos sistemáticamente el espacio de parámetros de crecimiento para la deposición de inas, identificando las condiciones para el crecimiento selectivo en Gaas y para el crecimiento puramente axial. los segmentos axiales inas se formaron con sus paredes laterales...
este artículo propone un nuevo tridimensional (3d) fotolitografía tecnología para un proceso de micropatrón de alta resolución en un sustrato de fibra. también se presenta una breve reseña sobre la tecnología de litografía de la superficie no plana. La tecnología propuesta comprende principalmente la microfabricación del módulo de exposición 3d y la deposición por pulverización de películas de res...
La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiale...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...