se ha evaluado una capa de cobertura de grafito para proteger la superficie de obleas epitaxiales 4h-sic con diseño y selectivamente implantadas durante el recocido posterior a la implantación. La fotoprotección az-5214e se hiló y se coció al vacío a temperaturas que oscilaban entre 750 y 850 ° C para formar un revestimiento continuo en superficies planas y planas grabadas en mesa con característi...
Se fabricaron matrices en escala de obleas de pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscos y nanorings bien ordenados en toda el área (10 mm × 10 mm) del electrodo inferior del srruo3 en un sustrato monocristalino srtio3 utilizando la litografía de interferencia láser. (lil) proceso combinado con deposición de láser pulsado. la forma y el tamaño de las nanoestructuras se controlaron por la cantidad de pzt deposi...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de servicio epi para crecimiento de obleas láser a base de gaas y otros productos y servicios relacionados anunció la nueva disponibilidad de tamaño 3 \"en producción en masa en 2017. Este nuevo producto representa un producto natural además de pam-xiamen línea de productos. Dr. Shaka dijo: \"nos complace ofrecer a nuestros clientes u...
los láseres de diodo directo tienen algunas de las características más atractivas de cualquier láser. son muy eficientes, compactos, de longitud de onda versátiles, de bajo costo y altamente confiables. sin embargo, la utilización completa de los láseres de diodo directo aún no se ha realizado. la mala calidad de diodo láser haz en sí, afectan directamente a sus rangos de aplicación, con el fin de...
informamos sobre la generación de microdescargas en dispositivos compuestos de microcristalinadiamante. las descargas se generaron en estructuras de dispositivos con geometrías de descarga de cátodo microhollow. una estructura consistía en una oblea aislante de diamante recubierta con capas de diamante dopado con boro en ambos lados. una segunda estructura consistía en una oblea de diamante aislan...
los avances recientes en el crecimiento de las películas epicáxicas sic en si tienen una visión general. se discuten los métodos clásicos básicos actualmente utilizados para el crecimiento de películas sic y se exploran sus ventajas y desventajas. Se dan la idea básica y los antecedentes teóricos para un nuevo método de síntesis de películas sic epitaxiales en si. se mostrará que el nuevo método e...
sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
la densidad y la intensidad de dispersión de la luz del oxígeno precipita en cz silicio los cristales se miden por tomografía de dispersión de la luz. los datos numéricos clarificados a través de las mediciones se discuten en relación con la cantidad de oxígeno precipitado. los resultados obtenidos aquí se corresponden bien con el análisis teórico de que los precipitados de oxígeno hacen que la lu...