en la última década, los compuestos iii-n han atraído mucho interés debido a sus aplicaciones en optoelectrónica azul, violeta y ultravioleta. la mayoría de los dispositivos e investigaciones usan zafiro como sustrato para la epitaxia de nitruros. sin embargo, estas epi-estructuras contienen una densidad de dislocación muy alta inducida por el 16% de disparidad de celosía entre gan y zafiro en nuestro laboratorio, cultivamos cristales simples de gan a una alta presión hidrostática de 10 kbar de nitrógeno. estos cristales tienen una densidad de dislocación ultrabaja y se utilizan con éxito para la construcción de diodos láser violeta. este trabajo presenta datos experimentales de difractometría de rayos X de alta resolución y fotoluminiscencia. este trabajo consta de tres partes: (i) comparación entre sustratos gan y plantillas gan / zafiro; (ii) influencia de Algan capas al inclinar las muestras; (iii) microestructura de pozos cuánticos ingan / gan múltiples .

soource: iopscience

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web : http://www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com