pam-xiamen produce lingotes de cristal individuales de antimonio de galio (gasb) de alta calidad. también redondeamos, cortamos, doblamos y pulimos obleas de gas y podemos suministrar una calidad de superficie preparada para epi. gasb crystal es un compuesto formado por 6n elemento ga y sb puro y se cultiva mediante el método de czchralski (lec) encapsulado en líquido con epd \u0026 lt; 1000 cm -3...
investigamos los niveles de energía de transición de los defectos de la vacante en el nitruro de galio por medio de un enfoque de la teoría de la función de densidad híbrida (dft). mostramos que, en contraste con las predicciones de un estudio reciente sobre el nivel de dft puramente local, la inclusión de intercambio filtrado estabiliza el estado de carga triplemente positiva de la vacancia de ni...
sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiale...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Presentamos un método sin contacto para la determinación del tiempo de respuesta térmica de los sensores de temperatura integrados en las obleas. En este método, una lámpara de flash ilumina un punto en la oblea en pulsos periódicos; el punto está en el lado opuesto del sensor bajo prueba. La constante de tiempo térmica del sensor se obtiene luego de la medición de su respuesta temporal, junto con...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...