Se fabricaron matrices en escala de obleas de pb (zr0.2ti0.8) o3 nanodiscos y nanorings bien ordenados en toda el área (10 mm × 10 mm) del electrodo inferior del srruo3 en un sustrato monocristalino srtio3 utilizando la litografía de interferencia láser. (lil) proceso combinado con deposición de láser pulsado. la forma y el tamaño de las nanoestructuras se controlaron por la cantidad de pzt deposi...
presentamos un novedoso proceso para integrar germanio con obleas de silicio sobre aislante (soi). el germanio se implanta en soi, que luego se oxida, atrapando el germanio entre las dos capas de óxido (el óxido crecido y el óxido enterrado). con un cuidadoso control de la implantación y las condiciones de oxidación, este proceso crea una capa delgada (experimentos actuales indican hasta 20-30 nm)...
el proceso para disminuir la densidad de dislocación en fe-dopado de 3 pulgadas obleas inp es descrito. el proceso de crecimiento de cristales es un czochralsky (lec) encapsulado en líquido convencional, pero se han añadido protectores térmicos para disminuir el gradiente térmico en el cristal en crecimiento. la forma de estos escudos se ha optimizado con la ayuda de simulaciones numéricas de tran...
la densidad y la intensidad de dispersión de la luz del oxígeno precipita en cz silicio los cristales se miden por tomografía de dispersión de la luz. los datos numéricos clarificados a través de las mediciones se discuten en relación con la cantidad de oxígeno precipitado. los resultados obtenidos aquí se corresponden bien con el análisis teórico de que los precipitados de oxígeno hacen que la lu...
La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiale...
Presentamos un método sin contacto para la determinación del tiempo de respuesta térmica de los sensores de temperatura integrados en las obleas. En este método, una lámpara de flash ilumina un punto en la oblea en pulsos periódicos; el punto está en el lado opuesto del sensor bajo prueba. La constante de tiempo térmica del sensor se obtiene luego de la medición de su respuesta temporal, junto con...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...