Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativ...
La irradiación con haz de iones se ha examinado como un método para crear pilares semiconductores a nanoescala y estructuras de cono, pero tiene el inconveniente de la colocación inexacta de la nanoestructura. Informamos sobre un método para crear y crear plantillas a nanoescala InAs picos mediante irradiación con haz de iones enfocado (FIB) de películas homópitaxianas InAs e InAs heteroepitaxiale...
Para realizar carburo de silicio de alto rendimiento ( Sic ) dispositivos de potencia, contactos óhmicos de baja resistencia a p-type SiC deben ser desarrollados. Para reducir la resistencia de contacto óhmico, se necesita reducir la altura de la barrera en las interfaces de metal / SiC o aumentar la concentración de dopaje en los sustratos de SiC. Dado que la reducción de la altura de la barrera ...
los Desarrollo del mercado de semiconductores de potencia SiC y GaN. El estado actual de la tecnología y el mercado de SiC, y la Tendencia de desarrollo en los próximos años. El mercado de dispositivos de SiC es prometedor. Las ventas de barrera Schottky los diodos han madurado y se espera que los envíos de MOSFET aumenten significativamente durante los próximos tres años. Según los analistas de Y...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Examen topográfico y químico de rayos X de Si: Ge cristales solos conteniendo 1.2 en% y 3.0 en% Ge, junto con mediciones precisas de parámetros de red, se realizó. Los contrastes de difracción en forma de "cuasi círculos" concéntricos (estrías), probablemente debido a la distribución no uniforme de los átomos de Ge, se observaron en las topografías de proyección. Los patrones de grabado ...
Presentamos un método sin contacto para la determinación del tiempo de respuesta térmica de los sensores de temperatura integrados en las obleas. En este método, una lámpara de flash ilumina un punto en la oblea en pulsos periódicos; el punto está en el lado opuesto del sensor bajo prueba. La constante de tiempo térmica del sensor se obtiene luego de la medición de su respuesta temporal, junto con...
Utilizando la deposición de vapores químicos mejorados por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) a 13.56 MHz, se fabrica una capa de semilla en la etapa de crecimiento inicial del microcristalino hidrogenado. germanio de silicona (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. Los efectos de los procesos de siembra en el crecimiento de μc-Si1 − xGex: H i-layers y el rendimiento de μc-Si1 − xGex: H p — i — n célula...
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