Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativ...
Para realizar carburo de silicio de alto rendimiento ( Sic ) dispositivos de potencia, contactos óhmicos de baja resistencia a p-type SiC deben ser desarrollados. Para reducir la resistencia de contacto óhmico, se necesita reducir la altura de la barrera en las interfaces de metal / SiC o aumentar la concentración de dopaje en los sustratos de SiC. Dado que la reducción de la altura de la barrera ...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos. Se demostró que la película delgada de Ga...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
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