pam-xiamen produce lingotes de cristal individuales de antimonio de galio (gasb) de alta calidad.

también redondeamos, cortamos, doblamos y pulimos obleas de gas y podemos suministrar una calidad de superficie preparada para epi.

gasb crystal es un compuesto formado por 6n elemento ga y sb puro y se cultiva mediante el método de czchralski (lec) encapsulado en líquido con epd \u0026 lt; 1000 cm -3. gasb crystal tiene una alta uniformidad de parámetros eléctricos y baja densidad de defectos, adecuado para mbe o crecimiento epitaxial mocvd.

tenemos productos gasb \"epi ready\" con amplia selección en orientación exacta u off, concentración baja o alta dopada y buen acabado superficial. por favor contáctenos para obtener más información sobre el producto.

1) oblea de gas de 2 \", 3\"

orientación: (100) ± 0.5 °

espesor (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

tipo / dopante: p / undoped; p / si; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 2) e17

movilidad (cm2 / v · s): 600 ~ 700

método de crecimiento: cz

polaco: ssp

2) 2 \"oblea de gas

orientación: (100) ± 0.5 °

espesor (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

tipo / dopante: n / undoped; p / te

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

movilidad (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500

método de crecimiento: lec

polaco: ssp

3) 2 \"oblea de gas

orientación: (111) a ± 0.5 °

espesor (μm): 500 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

movilidad (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crecimiento: lec

polaco: ssp

4) 2 \"oblea de gas

orientación: (111) b ± 0.5 °

espesor (μm): 500 ± 25; 450 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

movilidad (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crecimiento: lec

polaco: ssp

5) 2 \"oblea de gas

orientación: (111) b 2deg.off

espesor (μm): 500 ± 25

tipo / dopante: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

movilidad (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crecimiento: lec

polaco: ssp

productos relativos:

inas wafer

oblea insb

oblea inp

oblea gaas

oblea de gas

oblea de brecha

El material de gasb presenta propiedades interesantes para dispositivos termofotovoltaicos (tpv) de unión simple. gasb: se presenta el monocristal crecido con czochralski (cz) o czzcralski modificado (mo-cz) y se discute el problema de la homogeneidad. como la movilidad del portador es uno de los puntos clave para el cristal a granel, se llevan a cabo mediciones en el hall. Aquí presentamos algunos desarrollos complementarios basados ​​en el punto de vista del procesamiento del material: el crecimiento del cristal a granel, la preparación de la oblea y el grabado de la oblea. los pasos subsiguientes después de estos están relacionados con la elaboración de la unión p / no r n / p. se presentan algunos resultados obtenidos para diferentes enfoques de elaboración de capas delgadas. por lo tanto, desde el simple proceso de difusión de fase de vapor o el proceso de epitaxia en fase líquida hasta el proceso de deposición química de vapor de metal orgánico, informamos cierta especificidad de material. doi: 10.1115 / 1.2734570

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .