Se ha desarrollado un epi-reactor de pared caliente vertical que hace posible lograr simultáneamente una alta tasa de crecimiento y uniformidad de área grande. Se alcanza una tasa de crecimiento máxima de 250 µm / h con una morfología similar a un espejo a 1650 ° C. Bajo una modificada epi-reactor La configuración, una uniformidad de grosor de 1.1% y una uniformidad de dopaje de 6.7% para un área ...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...
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