2020-03-17
2020-03-09
cz-silicon
el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.
cz silicio monocristalino
cz-silicon
el fuerte / ligeramente dopado cz silicio monocristalino es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.
mcz
el campo magnético se utiliza en el proceso czochralski para producir el cz silicio monocristalino con las características de bajo contenido de oxígeno y alta uniformidad de resistividad; el mcz silicio es adecuado para producir los materiales de silicio para varios ics, dispositivos discretos y baterías solares de bajo oxígeno.
cz cristal fuertemente dopado
adoptando el dispositivo especial de dopaje y el proceso de cz, el altamente dopado (p, sb, as) cz silicio monocristalino con muy baja resistividad se puede producir, se utiliza principalmente como material de revestimiento para obleas epitaxiales, y se utiliza para producir los dispositivos electrónicos especiales para fuentes de alimentación de interruptor lsi, diodos schottky y dispositivos electrónicos de potencia de alta frecuencia de control de campo.
u0026 lt; 110 u0026 gt; orientación especial cz-silicon
el u0026 lt; 110 u0026 gt; silicio monocristalino tiene la orientación original u0026 lt; 110 u0026 gt ;, el procesamiento posterior para el ajuste de orientación es innecesario; el u0026 lt; 110 u0026 gt; silicio monocristalino tiene las características de estructura de cristal perfecta, y baja de oxígeno y amp; contenido de carbono, es un nuevo material de célula solar y se puede utilizar el material de celda de nueva generación.
nuestras ventajas de un vistazo
Equipo avanzado del crecimiento de la epitaxia y equipo de prueba 1.advanced.
2.ofrecer la más alta calidad con baja densidad de defectos y buena rugosidad de la superficie.
Apoyo del equipo de investigación 3.strong y soporte tecnológico para nuestros clientes
especificación de silicio monocristalino cz
|
tipo |
tipo de conducción |
orientación |
diámetro (mm) |
conductividad (Ω • cm) |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
1-300 |
|
dopaje pesado |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76.2-200 |
0.001-1 |
especificación de obleas
|
u0026 emsp; |
diámetro (mm) |
espesor (um) |
|
oblea |
76.2-200 |
≥ 160 |
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio7
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre e7
fz obleas pulidas, principalmente para la producción de rectificador de silicio (sr), rectificador controlado de silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)
la oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. están las obleas de grabado de baja rugosidad, baja reflecti7
pam-xiamen ofrece fotomáscaras una máscara fotográfica es una fina capa de material de enmascaramiento sostenida por un sustrato más grueso, y el material de enmascaramiento absorbe la luz en diversos grados y se puede modelar con un diseño personalizado. el patrón se utiliza para modular la luz y transferir el patrón a través del proceso de fotoli7
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-7
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