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sustrato de gan independiente
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.etiquetas calientes : sustrato gan gan independiente sustrato de gan independiente gan en si nitruro de galio led propiedades de nitruro de galio
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sustrato sic
pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabricante, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. como una empresa profesional invertida por los principales fabricantes de los campos de avanzada e investigación de materiales de alta tecnología e institutos estatales y laboratorio de semiconductores de China, nos dedicamos continuamente mejorar la calidad de los sustratos actuales y desarrollar sustratos de gran tamaño.etiquetas calientes : 4h sic 6h sic oblea sic oblea de carburo de silicio sustrato de carburo de silicio precio de obleas sic
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epitaxy sic
proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transistores de unión bipolar, tiristores, gto y bipolar de puerta aislada.etiquetas calientes : epitaxy sic depósito de epitaxia oblea epitaxy carburo de silicio diodo sic
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aplicación sic
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.etiquetas calientes : aplicación sic chip de oblea grabado de oblea propiedades de carburo de silicio mosfet de carburo de silicio
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obleas de gaas (arseniuro de galio)
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento de pulido y construcción una sala limpia de 100 clases para limpieza y empaquetado de obleas. nuestra oblea gaas incluye lingote / obleas de 2 a 6 pulgadas para aplicaciones de led, ld y microelectrónica. Siempre estamos dedicados a mejorar la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño.etiquetas calientes : oblea gaas substrato de gaas oblea de arseniuro de galio sustrato de arseniuro de galio arseniuro de galio led precio de la oblea gaas
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ge (germanio) monocristales y obleas
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lecetiquetas calientes : sustrato de germanio oblea de germanio ge oblea precio de la oblea de germanio germanio deposición de película delgada
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cdznte (czt) oblea
El telururo de cadmio y zinc (cdznte o czt) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva. Se utiliza principalmente en el sustrato de epitaxia de película fina infrarroja, detectores de rayos X y detectores de rayos gamma, modulación óptica láser, alta células solares de rendimiento y otros campos de alta tecnología.etiquetas calientes : cdznte detector czt detectores de rayos gamma cdte detector de radiación czt sustrato cdznte
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silicio monocristalino de la zona flotante
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio se utiliza principalmente para producir elementos de alta tensión inversa y dispositivos fotoelectrónicos.etiquetas calientes : zona de flotación fz de silicio proceso de zona flotante lingote de silicio oblea de sílice fabricantes de lingotes de silicio
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