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sustrato de gan independiente
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos. -
aplicación sic
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.etiquetas calientes : aplicación sic chip de oblea grabado de oblea diodo sic propiedades de carburo de silicio mosfet de carburo de silicio
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oblea inp
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100). -
oblea insb
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100). -
inas wafer
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).etiquetas calientes : inas wafer inas sustrato oblea de arseniuro de indio sustrato de arseniuro de indio semiconductor de arseniuro de indio estructura de arseniuro de indio
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oblea de gas
xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)
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