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plantillas gan
Los productos de plantilla de pam-xiamen consisten en capas cristalinas de nitruro de galio (gan), nitruro de aluminio (aln), nitruro de aluminio y galio (algan) y nitruro de indio y galio (ingan), que se depositan en sustratos de zafiro. Los productos de plantilla de carburo de silicio o silicon.pam-xiamen permiten tiempos de ciclo de epitaxia 20-50% más cortos y capas de dispositivo epitaxial de mayor calidad, con mejor calidad estructural y mayor conductividad térmica, lo que puede mejorar los dispositivos en costo, rendimiento y rendimiento. -
sustrato de gan independiente
pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos. -
oblea epitaxial led basada gan
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld). -
gan hemt oblea epitaxial
Los dobladillos de nitruro de galio (transistores de alta movilidad de electrones) son la próxima generación de tecnología de transistor de potencia rf. Gracias a la tecnología gan, pam-xiamen ahora ofrece algan / gan hemt epi wafer en zafiro o silicio, y algan / gan en plantilla de zafiro . -
obleas de gaas (arseniuro de galio)
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento de pulido y construcción una sala limpia de 100 clases para limpieza y empaquetado de obleas. nuestra oblea gaas incluye lingote / obleas de 2 a 6 pulgadas para aplicaciones de led, ld y microelectrónica. Siempre estamos dedicados a mejorar la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño. -
nanofabricación
pam-xiamen ofrece una placa fotorresistente con fotorresistencia podemos ofrecer nanolitografía (fotolitografía): preparación de la superficie, aplicación fotorresistente, cocción suave, alineación, exposición, desarrollo, horneado duro, desarrollo de inspección, grabado, eliminación de fotoresist (tira), inspección final.etiquetas calientes : fotolitografía nanofabricación fabricación de obleas fotorresistencia fabricación de semiconductores fabricación de obleas
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oblea inp
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).etiquetas calientes : oblea inp substrato inp oblea de fosfuro de indio sustrato de fosfuro de indio precio de la oblea inp fabricantes de fosfuro de indio
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oblea insb
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).etiquetas calientes : oblea insb sustrato inser oblea antimonida de indio sustrato de antimoniuro de indio propiedades antimonida del indio precio de la oblea insb
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