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sustrato sic
pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabricante, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. como una empresa profesional invertida por los principales fabricantes de los campos de avanzada e investigación de materiales de alta tecnología e institutos estatales y laboratorio de semiconductores de China, nos dedicamos continuamente mejorar la calidad de los sustratos actuales y desarrollar sustratos de gran tamaño.etiquetas calientes : 4h sic 6h sic oblea sic oblea de carburo de silicio sustrato de carburo de silicio precio de obleas sic
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oblea epitaxial led basada gan
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld). -
epitaxy sic
proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transistores de unión bipolar, tiristores, gto y bipolar de puerta aislada.etiquetas calientes : epitaxy sic depósito de epitaxia oblea epitaxy carburo de silicio diodo sic
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aplicación sic
debido a sus propiedades físicas y electrónicas, el dispositivo basado en carburo de silicio es muy adecuado para dispositivos electrónicos optoelectrónicos de corta longitud de onda, de alta temperatura, resistentes a la radiación y de alta potencia / alta frecuencia, en comparación con el dispositivo basado en si y gaas.etiquetas calientes : aplicación sic chip de oblea grabado de oblea propiedades de carburo de silicio mosfet de carburo de silicio
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silicio monocristalino de la zona flotante
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio se utiliza principalmente para producir elementos de alta tensión inversa y dispositivos fotoelectrónicos.etiquetas calientes : zona de flotación fz de silicio proceso de zona flotante lingote de silicio oblea de sílice fabricantes de lingotes de silicio
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oblea de prueba oblea oblea de oblea
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitoretiquetas calientes : oblea de prueba monitor oblea oblea ficticia sustrato de silicio espesor de la oblea de silicio
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cz silicio monocristalino
cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.etiquetas calientes : precio de la oblea de silicio obleas chips Soi Wafer obleas de silicio para la venta precio de la oblea
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oblea de silicio epitaxial
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre el substrato a granel y la capa epitaxial superior)etiquetas calientes : oblea de silicio epi oblea de silicio epitaxial fabricantes de obleas epitaxiales fabricante de oblea epi silicio en el aislador
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