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epitaxy sic
proporcionamos epitaxy sic personalizada de película delgada (carburo de silicio) sobre sustratos de 6h o 4h para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. sic epi wafer se utiliza principalmente para diodos schottky, transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal, transistores de efecto de campo de unión, transistores de unión bipolar, tiristores, gto y bipolar de puerta aislada.etiquetas calientes : epitaxy sic depósito de epitaxia oblea epitaxy carburo de silicio diodo sic
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gaas epiwafer
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información. -
ge (germanio) monocristales y obleas
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec
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