La velocidad de saturación es la velocidad máxima que un portador de carga en un semiconductor, generalmente un electrón, alcanza en presencia de campos eléctricos muy altos [1]. Los portadores de carga normalmente se mueven a una velocidad de deriva promedio proporcional a la intensidad del campo eléctrico que experimentan temporalmente. la constante de proporcionalidad se conoce como movilidad del transportista, que es una propiedad material. un buen conductor tendría un alto valor de movilidad para su portador de carga, lo que significa una velocidad más alta, y consecuentemente mayores valores de corriente para una intensidad de campo eléctrico dada. Sin embargo, hay un límite para este proceso y, a un alto valor de campo, un portador de carga no puede moverse más rápido, habiendo alcanzado su velocidad de saturación, debido a mecanismos que eventualmente limitan el movimiento de los portadores en el material.

Cuando se diseñan dispositivos semiconductores, especialmente en una escala submicrométrica tal como se usa en los microprocesadores modernos, la saturación de velocidad es una característica de diseño importante. la saturación de velocidad afecta en gran medida las características de transferencia de voltaje de un transistor de efecto de campo, que es el dispositivo básico utilizado en la mayoría de los circuitos integrados diseñados y producidos en el mundo. si un dispositivo semiconductor ingresa a la saturación de velocidad, un aumento en el voltaje aplicado al dispositivo no causará un aumento lineal en la corriente como sería esperado por la ley de Ohm. en cambio, la corriente solo puede aumentar en una pequeña cantidad, o no aumentar. es posible aprovechar este resultado cuando se intenta diseñar un dispositivo que pase una corriente constante independientemente del voltaje aplicado, un limitador de corriente en efecto.